• Характеристика процесса: Количество фотолитографий, шт.              11-14
  Проектная норма, мкм                      4
  Подложка:                                  460КДБ10 (111)
  Скрытые cлои:                     5КЭС17/(1.6-1,95) КДБ (210-510)
  Эпитаксиальный лой:              10-14 КЭФ1,25-4,5
  Изоляция:                     p-n переход
  Слои глубокий коллектор, разделение, эмиттер выполнены методом диффузия.
  Слои база, резистор – методом ионной имплантации
  Диэлектрик емкости: окисел кремния или нитрид кремния.
  Глубина p-базы, мкм                                 1,8-2,8
  Глубина N+эмиттера, мкм                        0,9-2,2
  1-ый межслойный диэлектрик: СТФСС+Si3N4
  2-ой межслойной диэлектрик:               НТФСС
  1-ый уровень металлизации: AlSiCuTi 0,55 мкм
  2-ой уровень металлизации: AlSi, Al- (1,4 – 3,0) мкм
  Пассивация:  ПХО 1,2 мкм
• Применение, элементная база: Вертикальный NPN:
  h21э=(80-200)
  Uкэ≥18 В
  Горизонтальный РNP:
  h21э≥ 20
  Uкэ≥20 В
  Емкость:n+ - Al
  Резисторы в слоях:
  База; эмиттер, контакты.