BY
CN
RU
EN
Биполярная технология изготовления npn-транзисторов с областью рабочих напряжений (300-700)В
Биполярная технология изготовления npn-транзисторов с областью рабочих напряжений (300-700)В
| Параметр | Значэнне |
|---|---|
| Характеристика процесса | Эпитаксиальная структура Подложка: КЭС 0,01 (111) Толщина эпитаксиального слоя, мкм 50-80 Удельное сопротивление, Ом-см 40-50 7-8 фотолитографий (контактная) База: ионная имплантация, Глубина, мкм 2,8-4,6 Эмиттер: диффузия, глубина, мкм 1,4-2,8 Защита p-n перехода коллектор-база SiPOS Металлизация: Al 1,4; 4,5 мкм Обр. сторона: Ti-Ni-Ag Пассивация: НТФСС(ПХО) |
| Применение, элементная база | Uкб=(300-700) B Uкэ=(300-400) В Iк=(0,5-8,0) А h21э=(8-40) |
Парадак, кошт і тэрміны выканання заказаў на пастаўку дробнасерыйных тавараў дадаткова ўзгадняюцца Спажыўцом са службамі маркетынгу і збыту ААТ «ІНТЭГРАЛ» - кіруючай кампаніі холдынга «ІНТЭГРАЛ»
Маркетынг , Аддзел продажаў
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by