• Характеристика процесса: Эпитаксиальная структура 
  Подложка:                                     КЭС 0,01 (111)
  Толщина эпитаксиального слоя, мкм     50-80
  Удельное сопротивление, Ом-см            40-50 
  7-8 фотолитографий (контактная)
  База:  ионная имплантация,
  Глубина, мкм                                                2,8-4,6
  Эмиттер: диффузия,
  глубина, мкм                                                 1,4-2,8
  Защита p-n перехода коллектор-база SiPOS
  Металлизация: Al 1,4; 4,5  мкм
  Обр. сторона: Ti-Ni-Ag
  Пассивация: НТФСС(ПХО)
• Применение, элементная база: Uкб=(300-700) B
  Uкэ=(300-400) В
  Iк=(0,5-8,0) А
  h21э=(8-40)