BY
CN
RU
EN
Биполярная технология изготовления pnp-транзисторов с токами коллектора (7,5÷16) А
Биполярная технология изготовления pnp-транзисторов с токами коллектора (7,5÷16) А
| Параметр | Значэнне |
|---|---|
| Характеристика процесса | Эпитаксиальная структура Подложка КДБ 0,05 (111) Толщина эпитаксиального слоя, мкм 25-28 Удельное сопротивление, Ом x см 8-11 7 фотолитографий (контактная) База: ионная имплантация фосфора, глубина, мкм 4,5-7,5 Эмиттер: диффузия бора, глубина, мкм 1,4-2,5 Защита p-n переходов: SiO2,Ta2O5 Металлизация: Al 4,0 мкм Обр. сторона: Ti-Ni-Ag |
| Применение, элементная база | Uкб=(80-160) B Uкэ=(30-90) В Iк=(7,5-16) А h21э>15 |
Парадак, кошт і тэрміны выканання заказаў на пастаўку дробнасерыйных тавараў дадаткова ўзгадняюцца Спажыўцом са службамі маркетынгу і збыту ААТ «ІНТЭГРАЛ» - кіруючай кампаніі холдынга «ІНТЭГРАЛ»
Маркетынг , Аддзел продажаў
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by