Биполярная технология изготовления pnp-транзисторов с токами коллектора (7,5÷16) А

Галоўная

Прадукцыя

Тэхналогіі

Біпалярныя

Биполярная технология изготовления pnp-транзисторов с токами коллектора (7,5÷16) А

Тэхнічныя характарыстыкі
Набыццё і тэхнічная падтрымка

Параметр	Значэнне
Характеристика процесса	Эпитаксиальная структура Подложка КДБ 0,05 (111) Толщина эпитаксиального слоя, мкм 25-28 Удельное сопротивление, Ом x см 8-11 7 фотолитографий (контактная) База: ионная имплантация фосфора, глубина, мкм 4,5-7,5 Эмиттер: диффузия бора, глубина, мкм 1,4-2,5 Защита p-n переходов: SiO2,Ta2O5 Металлизация: Al 4,0 мкм Обр. сторона: Ti-Ni-Ag
Применение, элементная база	Uкб=(80-160) B Uкэ=(30-90) В Iк=(7,5-16) А h21э>15

Параметр

Значэнне

Характеристика процесса

Эпитаксиальная структура
Подложка                                      КДБ 0,05 (111)
Толщина эпитаксиального слоя, мкм    25-28
Удельное сопротивление, Ом x см             8-11
7 фотолитографий (контактная)
База: ионная имплантация фосфора,
глубина, мкм                                                4,5-7,5
Эмиттер: диффузия бора,
глубина, мкм                                                1,4-2,5
Защита p-n переходов: SiO2,Ta2O5
Металлизация: Al 4,0 мкм
Обр. сторона: Ti-Ni-Ag

Применение, элементная база

Uкб=(80-160) B
Uкэ=(30-90) В
Iк=(7,5-16) А
h21э>15

Заказаць

Парадак, кошт і тэрміны выканання заказаў на пастаўку дробнасерыйных тавараў дадаткова ўзгадняюцца Спажыўцом са службамі маркетынгу і збыту ААТ «ІНТЭГРАЛ» - кіруючай кампаніі холдынга «ІНТЭГРАЛ»

Маркетынг , Аддзел продажаў
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by