20 В комплементарный c изоляцией p-n переходом “Bp30С-20”

Галоўная

Прадукцыя

Тэхналогіі

Біпалярныя

20 В комплементарный c изоляцией p-n переходом “Bp30С-20”

Тэхнічныя характарыстыкі
Набыццё і тэхнічная падтрымка

Параметр	Значэнне
Характеристика процесса	Количество фотолитографий, шт. 12-14 Проектная норма, мкм 2.0 Подложка: 460КДБ10 (111) Скрытые слои: 6.0КЭС20/1.95КДБ210 Эпитаксиальный слой: 8КЭФ1.5 Изоляция: p-n переход Глубина p-базы, мкм 2.0 Глубина N+эмиттера, мкм 1.7 Размер эмиттера, мкм 77 Расстояние между транзисторами, мкм 4 Коммутация: контакты 1, мкм 33 шаг 1 металл, мкм 9.0 контакты 2, мкм 4*4 шаг 2 металл, мкм 12.0
Применение, элементная база	Цифроаналоговые ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 18 В Вертикальный NPN транзистор: Вn=150 Uce=27 В Горизонтальный РNP транзистор: Вр=30 Uсе=35 В Вертикальный РNP транзистор: Вр=45 Uсе=35 В Вертикальный РNP с изолированным коллектором: Вр=80 Uсе=30 В Емкости: Э-Б; К-Б; Ме-n+; Ме1-Ме2. Резисторы в слоях: Изоляция; База; Резистор.

Параметр

Значэнне

Характеристика процесса

Количество
фотолитографий, шт.                       12-14
Проектная норма, мкм                    2.0
Подложка:                       460КДБ10 (111)
Скрытые слои: 6.0КЭС20/1.95КДБ210
Эпитаксиальный слой:            8КЭФ1.5
Изоляция:                 p-n переход
Глубина p-базы, мкм                          2.0
Глубина N+эмиттера, мкм                 1.7
Размер эмиттера, мкм                        7*7
Расстояние между
транзисторами, мкм                                4
Коммутация:
контакты 1, мкм                                    3*3
шаг 1 металл, мкм                                9.0
контакты 2, мкм                                    4*4
шаг 2 металл, мкм                              12.0

Применение, элементная база

Цифроаналоговые ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 18 В

Вертикальный NPN транзистор:
Вn=150 Uce=27 В
Горизонтальный РNP транзистор:
Вр=30 Uсе=35 В
Вертикальный РNP транзистор:
Вр=45 Uсе=35 В
Вертикальный РNP с изолированным коллектором:
Вр=80 Uсе=30 В
Емкости: Э-Б; К-Б; Ме-n+;
Ме1-Ме2.
Резисторы в слоях:
Изоляция; База; Резистор.

Заказаць

Парадак, кошт і тэрміны выканання заказаў на пастаўку дробнасерыйных тавараў дадаткова ўзгадняюцца Спажыўцом са службамі маркетынгу і збыту ААТ «ІНТЭГРАЛ» - кіруючай кампаніі холдынга «ІНТЭГРАЛ»

Маркетынг , Аддзел продажаў
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by

Файлы cookie

Наладжванне файлаў cookie

Тэхнічныя (абавязковыя)

Статыстычныя

Функцыянальныя

20 В комплементарный c изоляцией p-n переходом “Bp30С-20”