МЕНЮ Высокія тэхналогіі для лепшага жыцця
BY
Выбраць мову
CN RU EN
Биполярная технология изготовления мощных npn-транзисторов с рабочим напряжениям 1500В

Биполярная технология изготовления мощных npn-транзисторов с рабочим напряжениям 1500В

Параметр Значэнне
Характеристика процесса Подложка:                                                КОФ 102-90
8 фотолитографий (контактная):
База: ионная имплантация глубина, мкм   20-26
Эмиттер:        диффузия,
глубина, мкм                                                        10-15 
Защита p-n перехода коллектор – база:  SiPOS
Металлизация:  алюминий 4,5 мкм
Радиационная обработка для обеспечения динамики.
Матирование обратной стороны
Обратная сторона:  напыление Ti-Ni-Ag
Применение, элементная база Uкэ=1500 B
Uкэ=(700-800) В
Iк=(5-12) А
Парадак, кошт і тэрміны выканання заказаў на пастаўку дробнасерыйных тавараў дадаткова ўзгадняюцца Спажыўцом са службамі маркетынгу і збыту ААТ «ІНТЭГРАЛ» - кіруючай кампаніі холдынга «ІНТЭГРАЛ»

Маркетынг , Аддзел продажаў
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
       ......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by

Задать вопрос