Биполярная технология изготовления мощных npn-транзисторов с рабочим напряжениям 1500В
Биполярная технология изготовления мощных npn-транзисторов с рабочим напряжениям 1500В
- Характеристика процесса: Подложка: КОФ 102-90
8 фотолитографий (контактная):
База: ионная имплантация глубина, мкм 20-26
Эмиттер: диффузия,
глубина, мкм 10-15
Защита p-n перехода коллектор – база: SiPOS
Металлизация: алюминий 4,5 мкм
Радиационная обработка для обеспечения динамики.
Матирование обратной стороны
Обратная сторона: напыление Ti-Ni-Ag - Применение, элементная база: Uкэ=1500 B
Uкэ=(700-800) В
Iк=(5-12) А