Биполярная технология изготовления мощных npn-транзисторов Дарлингтона

Галоўная

Прадукцыя

Тэхналогіі

Біпалярныя

Биполярная технология изготовления мощных npn-транзисторов Дарлингтона

Тэхнічныя характарыстыкі
Набыццё і тэхнічная падтрымка

Параметр	Значэнне
Характеристика процесса	Подложка КЭС 0,01 (111) Толщина эпитаксиального слоя, мкм 27-38 Удельное сопротивление, Ом x см 8-21 6-7 фотолитографий (контактная) База: ионная имплантация, глубина, мкм 6-8 Эмиттер: диффузия, глубина, мкм 2,5-5,5 Защита p-n перехода коллектор-база SiPOS Металлизация: Al 4,5 мкм Обр. сторона: Ti-Ni-Ag Пассивация: НТФСС(ПХО)
Применение, элементная база	Uкб=(330-350) B Uкэ=(150-350) В Iк=(5-15) А h21э>100

Параметр

Значэнне

Характеристика процесса

Подложка                              КЭС 0,01 (111)
Толщина эпитаксиального слоя, мкм 27-38
Удельное сопротивление, Ом x см          8-21
6-7 фотолитографий (контактная)
База: ионная имплантация,
глубина, мкм                                             6-8
Эмиттер: диффузия,
глубина, мкм                                       2,5-5,5
Защита p-n перехода коллектор-база SiPOS
Металлизация: Al 4,5 мкм
Обр. сторона: Ti-Ni-Ag
Пассивация: НТФСС(ПХО)

Применение, элементная база

Uкб=(330-350) B
Uкэ=(150-350) В
Iк=(5-15) А
h21э>100

Заказаць

Парадак, кошт і тэрміны выканання заказаў на пастаўку дробнасерыйных тавараў дадаткова ўзгадняюцца Спажыўцом са службамі маркетынгу і збыту ААТ «ІНТЭГРАЛ» - кіруючай кампаніі холдынга «ІНТЭГРАЛ»

Маркетынг , Аддзел продажаў
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by