5 В «Изопланар – 1» “BpI-30-5”
Параметр | Значэнне |
---|---|
Характеристика процесса | Количество фотолитографий, шт 15 Проектная норма, мкм 2.0 Подложка: 460КДБ10 (111) Скрытые слои: 2,5КЭС35/1,95КДБ210 Эпитаксиальный слой: 1.5КЭФ0.3 Изоляция: LOCOS + p+ - охранные кольца Глубина p-базы, мкм 0.854 Глубина N+эмиттера, мкм 0.55 Размер эмиттера, мкм 2*3 Расстояние между транзисторами, мкм 2 Коммутация: контакты 1, мкм 2*3 шаг 1 металл, мкм 6.5 контакты 2, мкм 4*4 шаг 2 металл, мкм 10.0 |
Применение, элементная база | Цифроаналоговые ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 5 В
Вертикальный NPN транзистор: Резисторы в слое: База |
Парадак, кошт і тэрміны выканання заказаў на пастаўку дробнасерыйных тавараў дадаткова ўзгадняюцца Спажыўцом са службамі маркетынгу і збыту ААТ «ІНТЭГРАЛ» - кіруючай кампаніі холдынга «ІНТЭГРАЛ»
Маркетынг , Аддзел продажаў
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by