Биполярная технология изготовления мощных pnp-транзисторов Дарлингтона

Галоўная

Прадукцыя

Тэхналогіі

Біпалярныя

Биполярная технология изготовления мощных pnp-транзисторов Дарлингтона

Тэхнічныя характарыстыкі
Набыццё і тэхнічная падтрымка

Параметр	Значэнне
Характеристика процесса	Эпитаксиальная структура Подложка КДБ 0,05 (111): Толщина слоя, мкм 25-33 Удельное сопротивление, Ом x см 10-18 6,7 фотолитографий (контактная) База: ионная имплантация фосфора, глубина, мкм 6-8 Эмиттер: диффузия бора, глубина, мкм 2,5-5,5 Защита p-n переходов: SiO2,Ta2O5 Металлизация: Al 4,5 мкм Обр. сторона: Ti-Ni-Ag
Применение, элементная база	Uкб=(60-70) B Uкэ=(60-70) В Iк=(2,0-12) А h21э>500

Параметр

Значэнне

Характеристика процесса

Эпитаксиальная структура
Подложка                                          КДБ 0,05 (111):
Толщина слоя, мкм                                         25-33
Удельное сопротивление, Ом x см               10-18
6,7 фотолитографий (контактная)
База: ионная имплантация фосфора,
глубина, мкм                                                          6-8
Эмиттер: диффузия бора, глубина, мкм  2,5-5,5
Защита p-n переходов: SiO2,Ta2O5
Металлизация: Al 4,5 мкм
Обр. сторона: Ti-Ni-Ag

Применение, элементная база

Uкб=(60-70) B
Uкэ=(60-70) В
Iк=(2,0-12) А
h21э>500

Заказаць

Парадак, кошт і тэрміны выканання заказаў на пастаўку дробнасерыйных тавараў дадаткова ўзгадняюцца Спажыўцом са службамі маркетынгу і збыту ААТ «ІНТЭГРАЛ» - кіруючай кампаніі холдынга «ІНТЭГРАЛ»

Маркетынг , Аддзел продажаў
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by