КМАП
КМОП, 0.35 мкм, 1ПКК, 2 металла пл. 200 мм
-
Характеристика процесса:
Кол-во фотолитографий, шт. 15
Проектная норма, мкм 0.35
Подложка: 725КДБ0,015(100)
Эпитаксиальный слой: 15КДБ12
2 ретроградных кармана
Межслойный диэлектрик:
SACVD SiO2 + ПХ ТЭОС, мкм 1,05 мкм
Подзатворный SiO2, Å 70
длина канала
NMOS/PMOS, мкм 0.35
N&P LDD- стоки
Силицид титана
металл I Ti/AlCu / Ti /TiN
шаг ПКК, мкм 0.8
контакты 1 (заполнены W), мкм ø 0.5
шаг по металлу 1, мкм 0.95
металл 2 Ti/AlCu
контакты 2 (заполнены W), мкм ø 0.5
шаг по металлу 2, мкм 1.1 -
Применение, элементная база:
Цифровые ИМС, спецстойкие,
Епит = 3 В
NMOS:
Vtn=0.6 В, Usd >5 В
PMOS:
Vtр=-0.6 В, Usd >5 B
0,35 мкм; 2 ПКК; 2 металла; КМОП, ЭСППЗУ; пл. 200 мм
-
Характеристика процесса:
Количество фотолитографий, шт. 27
(с метками)
Проектная норма, мкм 1.2
Подложка: : Эпитаксиальная структура
КДБ(6-15) на КДБ 0,007-0,020(100)
2 кармана
Глубина N/P-кармана, мкм 3,0/1,3
Подзатворный SiO2:
низковольтные транзисторы, Å 120
высоковольтные транзисторы, Å 250
Туннельный SiO2, Å 75
Межсл. диэлектрик-1:Si3N4, Å 250
Длина канала:
низковольтные NMOS/PMOS, мкм 0.5/0.5
высоковольтные NMOS/PMOS, мкм 2.1/1.0
N и P LDD- стоки, Встроенные транзисторы,
шаг ПКК1, мкм 2.5
шаг по ПКК2 без контакта, мкм 1.1
Силицид
контакты 1 (заполнены W), мкм 0.5
Межслойный диэлектрик 2:
SACVD SiO2 + ПХ ТЭОС, мкм 1,05
металл I Ti/AlCu / Ti /TiN
шаг по металлу 1, мкм 1.0
Межуровневый диэлектрик SACVD SiO2+ПХО ТЭОС, мкм 0.95
контакты 2 (заполнены W), мкмø 0.5
металл 2 Ti/AlCu
шаг по металлу 2, мкм 1.1 - Применение, элементная база: ЭСППЗУ большой степени интеграции с Еп 5 В LV NMOS: Vtn=(0.5-0,7)В Usd³12 В LV PMOS: Vtр=-(0.6-0,8)В Usd ≤-12 В HV- NMOS: Vtn=(0,4-0,7)В Usd³17 В HV- РMOS: Vtр=-(0,6-0,9)В Usd ≤-15 В
0.5 мкм КМОП, 2 ПКК, 3 металла пл. 200 мм
-
Характеристика процесса:
Кол-во фотолитографий, шт. 17
Проектная норма, мкм 0.5
Подложка: Эпитаксиальная структура
КДБ(6-15) на КДБ 0,007-0,020(100)
2 кармана,
Глубина в активной области, мкм 1,0
Подзатворный SiO2, Å 120
шаг ПКК, мкм 1.0
длина канала
NMOS/PMOS, мкм 0.6/0.6
N и P LDD- стоки
ПКК резистор
Конденсаторы ПКК1 – ПКК2
Конденсаторный диэлектрик СТО, Å 300
Силицид
контакты 1 (заполнены W), мкм 0.5
Межслойный диэлектрик:
SACVD SiO2 + ПХ ТЭОС, мкм 1,05
металл I, 2 Ti/AlCu / Ti /TiN
шаг по металлу 1, мкм 1.0
шаг по металлу 2, мкм 1.1
металл 3 /Ti/AlCu
контакты 2, 3 (заполнены W), мкмø 0.6
шаг по металлу 3, мкм 1.2 - Применение, элементная база: Схемы контроллеров напряжения питания Епит от 2,7 до 5,5 В NMOS: Vtn=0.6 В, Usd >7 В PMOS: Vtр=-0.6 В, Usd >7 B
3-5 В, 0.5 мкм КМОП, 2 ПКК, 3 металла пл. 200 мм
-
Характеристика процесса:
Кол-во фотолитографий, шт. 18
Проектная норма, мкм 0.5
Подложка: Эпитаксиальная структура
КДБ(6-15) на КДБ 0,007-0,020(100)
N карман,
Глубина в активной области, мкм 1,0
Подзатворный SiO2, Å 120
шаг ПКК, мкм 1.5
длина канала
NMOS/PMOS, мкм 0.6/0.6
N и P LDD- стоки
ПКК резистор
Конденсаторы ПКК1 – ПКК2
Конденсаторный диэлектрик СТО, Å 300
Силицид
контакты 1 (заполнены W), мкм 0.6
Межслойный диэлектрик:
SACVD SiO2 + ПХ ТЭОС, мкм 1,05
металл I, 2 Ti/AlCu / Ti /TiN
шаг по металлу 1, мкм 1.6
шаг по металлу 2, мкм 1.7
металл 3 /Ti/AlCu
контакты 2, 3 (заполнены W), мкмø 0.7
шаг по металлу 3, мкм 2.2 -
Применение, элементная база:
Часовые ИС с Епит от 2 до 5.5 В
NMOS: Vtn=0.6 В, Usd >7 В
PMOS: Vtр=-0.6 В, Usd >7 B
1.2 мкм КМОП ППЗУ, 2ПКК, 2Ме,Пережигаемая перемычка
-
Характеристика процесса:
Количество фотолитографий, шт. 11
Проектные нормы, мкм 1.2
Подложка: КДБ12
Глубина N/P-кармана, мкм 5/6
Подзатворный SiO2, Å 250-300
Межслойный диэлектрик: БФСС
Длина канала:NMOS/PMOS, мкм 2.0
контакты, мкм 2.0х2.0
шаг металл 1, мкм 8
шаг металл 2, мкм 10 -
Применение, элементная база:
КМОП БМК
NMOS: Vtn=1.0B, Ic>10мА. Uпр>12 В
PMOS: Vtp= 1.0B, Ic>4.0мА, Uпр>12В
1.2 мкм КМОП, 1ПКК, 2Ме
-
Характеристика процесса:
Количество фотолитографий, шт. 11
Проектные нормы, мкм 1.2
Подложка: КДБ12
Глубина N/P-кармана, мкм 5/6
Подзатворный SiO2, Å 250-300
Межслойный диэлектрик: БФСС
Длина канала: NMOS/PMOS, мкм 1.4/1.6
шаг ПКК, мкм 2.8
контакты, мкм 1.6х1.6
шаг металл 1, мкм 3.4
шаг металл 2, мкм 3.0 -
Применение, элементная база:
КМОП БМК
NMOS: Vtn= 0.7B, Ic>11.5мА. Uпр>12 В
PMOS: Vtp= 0.8B, Ic>4.5мА, Uпр>12В
5 В, 3 мкм КМОП, 1 ПКК, 1 металл
-
Характеристика процесса:
Количество фотолитографий, шт. 11
Проектные нормы, мкм 2.0
Подложка: КЭФ 4.5
Глубина N/P-кармана, мкм 6-8
Подзатворный SiO2, Å 425/300
Межслойный диэлектрик: БФСС
Длина канала:NMOS/PMOS, мкм 3-4
шаг ПКК, мкм 10
контакты, мкм 4*4
шаг металл, мкм 10 -
Применение, элементная база:
Логические ИС
малой и средней степени интеграции
с Еп до 5 В
NMOS: Vtn= 0.8-1.2B, Ic>4мА. Uпр>8 В
PMOS: Vtp= 0.8-1.2B, Ic>2мА, Uпр>8В
1.5 В, 3.0 мкм КМОП, 1 ПКК,1 металл, несамосовмещенный затвор
-
Характеристика процесса:
Количество фотолитографий, шт. 9
Проектные нормы, мкм 3,0 – 5,0
Подложка: КЭФ4.5
Глубина P-кармана, мкм 6-8
Подзатворный SiO2, Å 800
Межслойный диэлектрик СTФСС
Длина канала: NMOS/PMOS, мкм 3
шаг ПКК, мкм 10
контакты, мкм 5
шаг по металлу, мкм 12 -
Применение, элементная база:
Часовые ИС
малой и средней степени интеграции
с Еп до 1.5В.
NMOS:
Vtn= 0.7/0.5 B , Usd >8 В, Ic>4мА
PMOS:
Vtp= -0.7 B/-0.5, Usd >8 В, Ic>2мА
3-5 В, 0.8 мкм КМОП, 1 ПКК (2ПКК),2 металла пл. 200 мм
-
Характеристика процесса:
Кол-во фотолитографий, шт. 14 (16)
Проектная норма, мкм 0.8
Подложка: КЭФ4.5 или КДБ12
2 кармана
Глубина N/ P карманов, мкм 4/4
Межслойный диэлектрик:
SACVD SiO2 + ПХ ТЭОС, мкм 1,05
Подзатворный SiO2, Å 130 / 160
длина канала
NMOS/PMOS, мкм 0.9/1.0
N и P LDD- стоки
металл I Ti/AlCu / Ti /TiN
шаг ПКК, мкм 1.9
контакты 1 (заполнены W), мкм 0.7
шаг по металлу 1, мкм 2.2
металл 2 /Ti/AlCu
контакты 2 (заполнены W), мкм ø 0.7
шаг по металлу 2, мкм 2.4 -
Применение, элементная база:
ИМС для телефонии, заказные ИМС
с Uпит от 3 до 5 В
NMOS: Vtn=0.6 В, Usd >10 В
PMOS: Vtр=-0.7 В, Usd >10 B
3-5 В, 0.8 мкм КМОП, 1 ПКК (2ПКК),2 металла пл. 150 мм
-
Характеристика процесса:
Кол-во фотолитографий, шт. 14 (16)
Проектная норма, мкм 0.8
Подложка: КЭФ4.5 или КДБ12, 2 кармана
Глубина N/ P карманов, мкм 4/4
Межслойный диэлектрик: БФСС
Подзатворный SiO2, Å 130 / 160
длина канала NMOS/PMOS, мкм 0.9/1.0
N и P LDD- стоки
металл I Ti-TiN/Al-Si/TiN
шаг ПКК, мкм 1.9
контакты 1, мкм ø 0.9
шаг по металлу 1, мкм 2.2
металл 2 Al-Si/TiN
контакты 2, мкм ø 0.9
шаг по металлу 2, мкм 2.4 -
Применение, элементная база:
ИС для телефонии, заказные ИС
с Eпит. от 3 В до 5 В
NMOS:
Vtn=0.6 В, Usd >10 В
PMOS:
Vtр=-0.7 В, Usd >10 B
5 В, 1.5 мкм КМОП,1 ПКК, 1 Металл, ПКК- резисторы пл. 150 мм
-
Характеристика процесса:
Количество фотолитографий, шт. 17
Проектная норма, мкм 1.5
Подложка: КДБ12, 2 кармана
Глубина N/P-кармана, мкм 5/6
ПKK резисторы Р-типа
Биполярный вертикальный NPNтранзистор
Подзатворный SiO2, Å 250
Межслойный диэлектрик: БФСС
длина канала NMOS/PMOS, мкм 1.7
N и P LDD- стоки
шаг ПКК, мкм 2.5
контакты, мкм ø 1.3
шаг по металлу, мкм 3.5 -
Применение, элементная база:
Схемы контроллеров напряжения питания
NMOS:
Vtn= 0.5 B , Usd >10 В
PMOS:
Vtp= 0.5 B, Usd >10 В
5 В, 1.5 мкм КМОП, 1 ПКК,1 металл. пл. 150 мм
-
Характеристика процесса:
Количество фотолитографий, шт. 16
Проектная норма, мкм 1.5
Подложка: КДБ12, 2 кармана
Глубина N/P-кармана, мкм 5/6
Межслойный диэлектрик: БФСС
Подзатворный SiO2, Å 250
Межслойный диэлектрик: БФСС
Встроенные транзисторы в ПЗУ
Скрытые контакты
длина канала NMOS/PMOS, мкм 1.5
N и P LDD- стоки
шаг ПКК, мкм 2.5
контакты, мкм ø 1.5
шаг по металлу, мкм 3.5 -
Применение, элементная база:
Цифровые ИМС. микроконтроллеры
с Епит=5 В
NMOS: Vtn= 0.6 В, Usd >10 В
PMOS: Vtр= 1.0В, Usd >13 B
1.5 В, 1.6 мкм КМОП, 1 ПКК,1 металл, низкопороговый пл. 150 мм
-
Характеристика процесса:
Количество фотолитографий, шт. 11
Проектная норма, мкм 1.6
Подложка: КДБ12, 2 кармана
Глубина N/P-кармана, мкм 5/6
Подзатворный SiO2, Å 300
Межслойный диэлектрик БФСС
Длина канала: NMOS/PMOS, мкм 2.0
шаг ПКК, мкм 3.2
контакты, мкм ø 1.5
шаг металла, мкм 3.6 -
Применение, элементная база:
Цифровые ИМС
средней степени интеграции
для ЭНЧ и микрокалькуляторов
Eпит от 1.5 В до 3 В.
NMOS: Vtn= 0.5 B , Usd >10 В
PMOS: Vtp= -0.5 B, Usd >10 В
5 В, 1.2 мкм КМОП, 2 ПКК, 2 металла, ЭСППЗУ пл. 150 мм
-
Характеристика процесса:
Количество фотолитографий, шт. 23
(с метками)
Проектная норма, мкм 1.2
Подложка: КДБ-12, 2 кармана
Глубина N/P-кармана, мкм 5/6
Подзатворный SiO2:
низковольтные транзисторы, Å 250
высоковольтные транзисторы, Å 350
Туннельный SiO2, Å 77
Межсл. диэлектрик-1:Si3N4, Å 350
Межсл. диэлектрик-2: БФСС, Å 7000
Межуровневый диэлектрик: ПХО+SOG+ПХО
Длина канала:
низковольтные NMOS/PMOS, мкм 1.4/1.6
высоковольтные NMOS/PMOS, мкм 2.6/2.6
N и P LDD- стоки, Встроенные транзисторы,
шаг ПКК1, мкм 3.2
шаг по ПКК2 без контакта, мкм 2.4
шаг по ПКК2 с контактом, мкм 4,6
контакты-1, мкм ø 1.2
шаг по металлу 1 без контакта, мкм 3.2
шаг по металлу 2 с контактом, мкм 4,4
контакты 2, мкм ø 1.4
шаг по металлу 2 без контакта, мкм 4.4
шаг по металлу 2 с контактом, мкм 4,8 -
Применение, элементная база:
ЭСППЗУ большой степени интеграции
с Еп от 2,4 В до 6 В
LV NMOS: Vtn=(0.4-0,8)В Usd?12 В
LV PMOS: Vtр=-(0.5-0,9)В Usd <=-12 В
HV- NMOS: Vtn=(0,3-0,6)В Usd?17 В
HV- РMOS: Vtр=-(0,6-1,0)В Usd <=-15 В
5 В, 1.6 мкм КМОП, 2 ПКК,1 металл, ЭСППЗУ пл. 150 мм
-
Характеристика процесса:
Количество фотолитографий, шт. 17
Проектная норма, мкм 1.6
Подложка: КДБ-12 2 кармана
Глубина N/P-кармана, мкм 5/6
Подзатворный SiO2, Å 425
Туннельный SiO2, Å 77
Межсл. диэлектрик-1: Si3N4, Å 350
Межсл. диэлектрик-2: БФСС, Å 7000
Встроенные транзисторы
Длина канала: NMOS/PMOS
низковольтные транзисторы, мкм 2.4
высоковольтные транзисторы, мкм 3.6
шаг ПКК1, мкм 3.2
шаг ПКК2, мкм 4.2
контакты, мкм ø1.2
шаг по металлу, мкм 4.4 -
Применение, элементная база:
ЭСППЗУ средней степени интеграции
с Епит от 2,4 В до 6 В
NMOS: Vtn=(0,65±0,25)В
Usd >=12 В
PMOS: Vtр=-(0,8±0,2)В Usd <=-12 В
HV-NMOS: Vtn=(0,45±0,15)В Usd317В
HV-PMOS: Vtp=-(0,8±0,2)В Usd <=-16 В
5 В, 2 мкм КМОП, 1 ПКК, 1 металл
-
Характеристика процесса:
Количество фотолитографий, шт. 11
Проектная норма, мкм 2.0
Подложка: КЭФ 4.5, 2 кармана
Глубина N/P-кармана, мкм 6/7
Подзатворный SiO2, Å 425/300
Межслойный диэлектрик: БФСС
Длина канала: NMOS/PMOS, мкм 2.5
шаг ПКК, мкм 4.5
контакты, мкм 2.4*2.4
шаг металл, мкм 8.5 -
Применение, элементная база:
Логические ИС малой и средней
степени интеграции с Еп до 5 В.
NMOS:
Vtn= 0.6/0.5 B , Usd >12 В
PMOS:
Vtp= -0.7 B/-0.5, Usd >14 В
5 В, 1.5 мкм КМОП, 1 ПКК,2 металла
-
Характеристика процесса:
Количество фотолитографий, шт. 14
Проектная норма, мкм 1.5
Подложка: КЭФ4.5
Глубина N/P-кармана, мкм 5/5
Межслойный диэлектрик: БФСС
Межуровневый диэлектрик: ПХО
Подзатворный SiO2, Å 245
Длина канала: NMOS/PMOS, мкм 1.4/2.0
N LDD- стоки
шаг ПКК,мкм 3.4
контакты 1, мкм 1.5*4.5
шаг металл 1, мкм 6.0
контакты 2, мкм 3.0*4.5
шаг металл 2, мкм 9.5 -
Применение, элементная база:
Логические ИС малой и средней
степени интеграции с Еп до 5 В
NMOS: Vtn= 0.8 B , Usd >12 В
PMOS: Vtp= -0.8 B, Usd >12 В
15 В,5.0 мкм КМОП, 1 ПКК, 1 металл, несамосовмещенный затвор
-
Характеристика процесса:
Количество фотолитографий, шт. 9
Проектная норма, мкм 5,0
Подложка: 460 КЭФ4.5 (100)
Глубина P-кармана, мкм 10
Подзатворный SiO2, Å 950
Межслойный диэлектрик СTФСС
Длина канала: NMOS/PMOS, мкм 5/6
шаг ПКК, мкм 5.5
контакты, мкм ø 2шаг по металлу, мкм 8
-
Применение, элементная база:
Логические ИС малой и средней
степени интеграции с Еп до 20В.
NMOS: Vtn= 1.1 B, Usd >27 В
PMOS: Vtp= -1.0 B, Usd>29 В