БiКДМАП

	Абазначэнне	Применение, элементная база	Характеристика процесса
	БиКДМОП, с изоляцией LOCOS 1 ПКК 1 металл, NMOП/PMOП транзисторы	Низковольтные транзисторы NMOП: Vtn= 1.8 B , Usd >16 В PMOП: Vtp= 1.5 B , Usd >16 В NPN: h21э = 100-300 Резисторы в слое: ПКК 1 = 20-30 Ом/кв. Высоковольтные транзисторы NДMOП: Vtn= 1.0-1.8 B , Usd>=500 В PДMOП: Vtp= 0.7-2.0 B , Usd >=700 В	Кол-во фотолитографий, шт. 15 Проектная норма, мкм 2.5 Подложка: КДБ 80 Изоляция: LOCOS Глубина P-кармана, мкм 6.5 Глубина N-кармана, мкм 4.5 Глубина базы NДMOП, мкм 2.4 Подзатворный SiO2, Å 600 Межслойный диэлектрик СТФСС, мкм 0,6 Длина канала: NMOS/PMOS, мкм 2.0 контакты, мкм 2.0х2.0 шаг металл 1, мкм 8 шаг металл 2, мкм 10
БиКДМОП, с изоляцией LOCOS 1 ПКК 1 металл, NMOП/PMOП транзисторы Тэхнічная падтрымка
	90 В, с изоляцией p-n переходом 1 ПКК 1 металл, NMOП/PMOП низковольтные транзисторы, NДMOП/PДMOП высоковольтные горизонтальные транзисторы, мощный вертикальный NДMOП транзистор, биполярные вертикальные NPN и горизонтальные PNP транзисторы	Аналоговые ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 90 В Вертикальный NPN: Вп=50 Uсе=20 В Горизонтальный PNP: Вр=25 Uсе=20 В LNДMOП: Vtn= 2.0 B, Usd >90 В LPДMOП: Vtp= -1.4 B, Usd >90 В NMOП: Vtn= 1.2 B , Usd >18 В PMOП: Vtp= 1.5 B , Usd >18 В VNДMOП: Vtn= 2.0 B, Usd >70 В Резисторы в слое: База NДMOП, Р-сток, ПКК. Емкости: ПКК-Si (SiO2 750 Å) ПКК-Al (SiO2 8000 Å)	Кол-во фотолитографий, шт. 19 Проектная норма, мкм 3.0 Подложка:460КДБ12 (100) Скрытые слои: 20КЭС6/250КДБ2.0 Эпитаксиальный слой 10КЭФ1.5 Изоляция: p-n переход Глубина P-кармана, мкм 6.5 Глубина базы NДMOП, мкм 2.5 Подзатворный SiO2, Å 750 Глубина p-базы NPN, мкм 2.5 Глубина N+эмиттера, мкм 0.5 Межслойный диэлектрик БФСС, мкм 0,8 Длина канала по затвору: N/PMOП, мкм ø 4 шаг ПКК, мкм 7 контакты, мкм 2 шаг по металлу, мкм 8
90 В, с изоляцией p-n переходом 1 ПКК 1 металл, NMOП/PMOП низковольтные транзисторы, NДMOП/PДMOП высоковольтные горизонтальные транзисторы, мощный вертикальный NДMOП транзистор, биполярные вертикальные NPN и горизонтальные PNP транзисторы Тэхнічная падтрымка
	БиКДМОП 600 В с изоляцией p-n переходом 1 ПКК 1 металл	ИМС управления импульсным источником питания Низковольтный NPN: h21э не менее 50, Uсе не менее 30 В Горизонтальный PNP: h21э=2,2-30 Uсе=25-60 В NДMOП: Vtn=1.2-3.0 В, Usd³30 В PMOП низковольтный: Vtp=0.8-2.0 B, Usd³18 В PMOП высоковольтный: Vtp=0.8-2.0 B , Usd³22 В NMOП низковольтный: Vtn=0.8-2.0 B , Usd³18 В NMOП высоковольтный: Vtn=0.8-2.0 B , Usd³600 В	Кол-во фотолитографий, шт. 15 Проектная норма, мкм 3.0 Подложка: 460КДБ60 (100) Изоляция: p-n переход Глубина базы NДMOП, мкм 2.5 Подзатворный SiO2, Å 750 Межслойный диэлектрик БФСС, мкм 0,8
БиКДМОП 600 В с изоляцией p-n переходом 1 ПКК 1 металл Тэхнічная падтрымка