5 В, 3 мкм КМОП, 1 ПКК, 1 металл

Галоўная

Прадукцыя

Тэхналогіі

КМАП

5 В, 3 мкм КМОП, 1 ПКК, 1 металл

Тэхнічныя характарыстыкі
Набыццё і тэхнічная падтрымка

Параметр	Значэнне
Характеристика процесса	Количество фотолитографий, шт. 11 Проектные нормы, мкм 2.0 Подложка: КЭФ 4.5 Глубина N/P-кармана, мкм 6-8 Подзатворный SiO2, Å 425/300 Межслойный диэлектрик: БФСС Длина канала:NMOS/PMOS, мкм 3-4 шаг ПКК, мкм 10 контакты, мкм 4*4 шаг металл, мкм 10
Применение, элементная база	Логические ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 5 В NMOS: Vtn= 0.8-1.2B, Ic>4мА. Uпр>8 В PMOS: Vtp= 0.8-1.2B, Ic>2мА, Uпр>8В

Параметр

Значэнне

Характеристика процесса

Количество фотолитографий, шт.        11

Проектные нормы, мкм                       2.0

Подложка:                                     КЭФ 4.5

Глубина N/P-кармана, мкм                  6-8

Подзатворный SiO2, Å                 425/300

Межслойный диэлектрик:               БФСС

Длина канала:NMOS/PMOS, мкм       3-4

шаг ПКК, мкм                                        10

контакты, мкм                                     4*4

шаг металл, мкм                                  10

Применение, элементная база

Логические ИС
малой и средней степени интеграции
с Еп до 5 В

NMOS: Vtn= 0.8-1.2B, Ic>4мА. Uпр>8 В

PMOS: Vtp= 0.8-1.2B, Ic>2мА, Uпр>8В

Заказаць

Парадак, кошт і тэрміны выканання заказаў на пастаўку дробнасерыйных тавараў дадаткова ўзгадняюцца Спажыўцом са службамі маркетынгу і збыту ААТ «ІНТЭГРАЛ» - кіруючай кампаніі холдынга «ІНТЭГРАЛ»

Маркетынг , Аддзел продажаў
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by