• Характеристика процесса: Количество фотолитографий, шт.        11
  
  Проектные нормы, мкм                       2.0
  
  Подложка:                                     КЭФ 4.5
  
  Глубина N/P-кармана, мкм                  6-8
  
  Подзатворный SiO2, Å                 425/300
  
  Межслойный диэлектрик:               БФСС
  
  Длина канала:NMOS/PMOS, мкм       3-4
  
  шаг ПКК, мкм                                        10
  
  контакты, мкм                                     4*4
  
  шаг металл, мкм                                  10
• Применение, элементная база: Логические ИС
  малой и средней степени интеграции
  с Еп до 5 В
  
  NMOS: Vtn= 0.8-1.2B, Ic>4мА. Uпр>8 В
  
  PMOS: Vtp= 0.8-1.2B, Ic>2мА, Uпр>8В