1.2 мкм КМОП ППЗУ, 2ПКК, 2Ме,Пережигаемая перемычка
| Параметр | Значэнне |
|---|---|
| Характеристика процесса | Количество фотолитографий, шт. 11 Проектные нормы, мкм 1.2 Подложка: КДБ12 Глубина N/P-кармана, мкм 5/6 Подзатворный SiO2, Å 250-300 Межслойный диэлектрик: БФСС Длина канала:NMOS/PMOS, мкм 2.0 контакты, мкм 2.0х2.0 шаг металл 1, мкм 8 шаг металл 2, мкм 10 |
| Применение, элементная база | КМОП БМК NMOS: Vtn=1.0B, Ic>10мА. Uпр>12 В PMOS: Vtp= 1.0B, Ic>4.0мА, Uпр>12В |
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by