• Характеристика процесса: Количество фотолитографий, шт.      11
  
  Проектные нормы, мкм                    1.2
  
  Подложка:                                  КДБ12
  
  Глубина N/P-кармана, мкм               5/6
  
  Подзатворный SiO2, Å              250-300
  
  Межслойный диэлектрик:             БФСС
  
  Длина канала:NMOS/PMOS, мкм       2.0
  
  контакты, мкм                              2.0х2.0
  
  шаг металл 1, мкм                                8
  
  шаг металл 2, мкм                              10
• Применение, элементная база: КМОП БМК
  
  NMOS: Vtn=1.0B, Ic>10мА. Uпр>12 В
  
  PMOS: Vtp= 1.0B, Ic>4.0мА, Uпр>12В