МЕНЮ Высокія тэхналогіі для лепшага жыцця
BY
Выбраць мову
CN RU EN
Запоминающие устройства Серии 541; 537; 1632; 1675РТ014; 1676РТ015; 1623; 1617; 1635; 1644; 1642; 1669; 9000; 1835PE2Т; 9001РТ1У; 1659РУ1Т; 1666РЕ014

Запоминающие устройства Серии 541; 537; 1632; 1675РТ014; 1676РТ015; 1623; 1617; 1635; 1644; 1642; 1669; 9000; 1835PE2Т; 9001РТ1У; 1659РУ1Т; 1666РЕ014

Выбраць параметры Заказать выбранное

* - разработка

Абазначэнне Прататып Функцыянальнае прызначэнне Тып корпуса Диапазон температур Напряжение питания, В Организация, бит Ток потребления Iсс, мА,не более Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более UUcc,В
1676РТ015* AM27C040-150DE Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования информационной емкостью 4Мбит (512К×8 бит) 5134.64-6            
1675РТ014 1675РТ014 Постоянное запоминающее устройство информационной емкостью 1Мбит (128К×8 бит) с возможностью однократного программирования, UCC = 3,0В ÷ 3,6В 4149.36-1 от -60°С до + 125°С; 3,3B±10%     60 0,8
9000РУ6У CY7C1051D КМОП оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 8Мбит (512К х16 бит) 5134.64-6            
9000РУ5У - КМОП оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 8Мбит (256К х 32 бит) 5134.64-6            
9000РУ4У ACT-S512K32 КМОП оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 16Мбит (512К x 32 бит) 5134.64-6            
9000РУ3У ACT-S128K32 КМОП оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 4Мбит (128К х 32 бит) Н18.64-3В            
9000РУ2У ACT-S512K8 КМОП оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 4Мбит (512К х 8 бит) Н18.64-3В            
9000РУ1У CY7C1041D КМОП оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 4Мбит (256К х 16 бит) Н18.64-3В            
1669РА035 ACT-S512K8 Оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 4Мбит (512К x 8 бит) 5134.64-6            
1669РА025 CY7C1041D Оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 4Мбит (256К x 16 бит) 5134.64-6            
1669РА015 ACT-S128K32 Оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 4Мбит (128К x 32 бит) 5134.64-6            
Б1623РТ1-4   Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования (ППЗУ) информационной емкостью 16Кбит (2К x 8 бит) Кристалл
 
           
Б541РУ2-4   Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (1024 х 4 бит) Кристалл            
Б541РУ1-4   Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (4096 х 1 бит) Кристалл            
Б541РТ2-4   Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования информационной емкостью 16Кбит (2048 х 8 бит) Кристалл            
Б541РТ1-4   Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования информационной емкостью 1Кбит (256 х 4 бит) Кристалл            
1623PT2Б   Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования информационной емкостью 64Кбит (8К x 8 бит) 4119.28-6 -60 +85 °С   8192 х 8 50 0,04  
1623РТ2А HM6664 Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования информационной емкостью 64Кбит (8К x 8 бит) 4119.28-6 -60 +85 °С   8192 х 8 50 0,04  
М1623РТ1Б   Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования (ППЗУ) информационной емкостью 16Кбит (2К x 8 бит) 210Б.24-1 -60 +85 °С   2048 х 8   0,04  
M1623PT1A HM6616 Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования (ППЗУ) информационной емкостью 16Кбит (2К x 8 бит) 210Б.24-1 -60 +85 °С   2048 х 8   0,04  
537РУ14Б   Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (4К x 1 бит) 427.18-2.03 -60 +85 °С   4096 х 1 35 0,005  
537РУ14А   Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (4К x 1 бит) 427.18-2.03 -60 +85 °С   4096 х 1 35 0,005  
537РУ13   Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (1К x 4 бит) 427.18-2.03 -60 +85 °С   1024 х 4 60 0,01  
537РУ3Б   Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (4К x 1 бит) 427.18-2.03 -60 +85 °С   4096 х 1 20 0,001  
537РУ3A   Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (4К x 1 бит) 427.18-2.03 -60 +85 °С   4096 х 1 20 0,001  
1617РУ14Б   Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (4К x 1 бит) 427.18-1.02 -60 +85 °С   4096 х 1 55 0,001  
1617РУ14А   Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (4К х 1 бит) 427.18-1.02 -60 +85 °С   4096 х 1 55 0,001  
1617РУ13Б   Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (1К x 4 бит) 427.18-1.02 -60 +85 °С   1024 х 4 55 0,001  
1617РУ13A   Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (1К x 4 бит) 427.18-1.02 -60 +85 °С   1024 х 4 55 0,001  
1666РЕ014   Энергонезависимое оперативное запоминающее устройство (FRAM) информационной емкостью 1 Мбит (128 К х 8) бит 4184.32-1            

* - разработка


Задать вопрос