5 В, 2 мкм КМОП, 1 ПКК, 1 металл

Галоўная

Прадукцыя

Тэхналогіі

КМАП

5 В, 2 мкм КМОП, 1 ПКК, 1 металл

Тэхнічныя характарыстыкі
Набыццё і тэхнічная падтрымка

Параметр	Значэнне
Характеристика процесса	Количество фотолитографий, шт. 11 Проектная норма, мкм 2.0 Подложка: КЭФ 4.5, 2 кармана Глубина N/P-кармана, мкм 6/7 Подзатворный SiO₂, Å 425/300 Межслойный диэлектрик: БФСС Длина канала: NMOS/PMOS, мкм 2.5 шаг ПКК, мкм 4.5 контакты, мкм 2.4*2.4 шаг металл, мкм 8.5
Применение, элементная база	Логические ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 5 В. NMOS: Vtn= 0.6/0.5 B , Usd >12 В PMOS: Vtp= -0.7 B/-0.5, Usd >14 В

Параметр

Значэнне

Характеристика процесса

Количество фотолитографий, шт.        11

Проектная норма, мкм                        2.0

Подложка:         КЭФ 4.5, 2 кармана

Глубина N/P-кармана, мкм               6/7

Подзатворный SiO₂, Å                 425/300

Межслойный диэлектрик:             БФСС

Длина канала: NMOS/PMOS, мкм       2.5

шаг ПКК, мкм                                      4.5

контакты, мкм                              2.4*2.4

шаг металл, мкм                                  8.5

Применение, элементная база

Логические ИС малой и средней
степени интеграции с Еп до 5 В.
NMOS:
Vtn= 0.6/0.5 B , Usd >12 В
PMOS:
Vtp= -0.7 B/-0.5, Usd >14 В

Заказаць

Парадак, кошт і тэрміны выканання заказаў на пастаўку дробнасерыйных тавараў дадаткова ўзгадняюцца Спажыўцом са службамі маркетынгу і збыту ААТ «ІНТЭГРАЛ» - кіруючай кампаніі холдынга «ІНТЭГРАЛ»

Маркетынг , Аддзел продажаў
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by