BY
CN
RU
EN
Электронная кампанентная база устойлівая да звышвысокіх вонкавых ўздзейнічаючых фактараў
Электронная кампанентная база устойлівая да звышвысокіх вонкавых ўздзейнічаючых фактараў
|
Абазначэнне | Прататып | Функцыянальнае прызначэнне | Тып корпуса | Основные характеристики | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
1835РЕ2Т | Масочное ПЗУ емкостью 1 Мбит с организацией 128Кх8 | 4119.28-6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1635РТ3У | TMS27PC512 | Постоянное запоминающее устройство информационной емкостью 512Кбит (64К×8 бит) с возможностью однократного программирования, напряжение питания - 3,0В ÷ 3,6В | Н18.64-3В | напряжение питания - UCС= 3,3B+-10 %; динамический ток потребления – IОСС ≤ 40мА; ток потребления в режиме хранения - ICCS ≤ 60мкА; время выбора - tCS ≤ 120нс; время выборки разрешения выхода – tА(OE) ≤60нс; рабочий температурный диапазон - от минус 60°С до плюс 125°С. Стойкость к СВВФ: 7.И1 - 4Ус, 7.И6 - 6Ус, 7.И7 - 6Ус, 7.С1 - 50×5Ус, 7.С4 - 10×1Ус, 7.К1 - 5×2К, 7.К4 – 5×1К АЕНВ.431210.147 ТУ |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1635РТ2У | Постоянное запоминающее устройство c возможностью однократного программирования (ППЗУ) информационной емкостью 512К и организацией (64Кх8) бит | H18.64-3В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1635РТ1У | Постоянное запоминающее устройство c возможностью однократного программирования (ППЗУ) информационной емкостью 256 бит и организацией (32х8) бит | H16.48-1B | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1635РУ3T/АТ | AS7C31024 | Оперативное запоминающее устройство статическое (128Кх8) | 4149.36-1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1635РУ3У/3АУ | AS7C1024 | Оперативное запоминающее устройство статическое (128Кх8) | H18.64-3В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1635РУ2Т | CY7C1009 (IS61C1024AL) | Статическое ОЗУ информационной емкостью 1 Мбит (128Кх8) | 4149.36-1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1635РУ2У/2АУ | CY7C1009 | Оперативное запоминающее устройство статическое (128Кх8бит) | H18.64-3B | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1635РУ1Т/AT | CY7C199-20DMB | Статическое ОЗУ информационной емкостью 256К (32К х 8) | 4183.28-2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1632РТ2Т | Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования (ППЗУ) информационной емкостью 1 Мбит (128 К х 8 бит) | 4149.36-1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1632РТ1Т | Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования (ППЗУ) информационной емкостью 256К и организацией 32768 х 8 разрядов | 4119.28-6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
541РУ2 | Оперативное запоминающее устройство статическое 1024х4 | 427.18-2.03 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
541РУ1 | Оперативное запоминающее устройство статическое 4096х1 | 427.18-2.03 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
541РТ2 | Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования 2048х8 | 405.24-2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
541РТ1 | Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования 256х4 | 402.16-21 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||