Запамінальныя прылады

Запамінальныя прылады

IZ7013

  • Функцыянальнае прызначэнне: 8-ми разрядный с масочным ПЗУ и драйвером ЖКИ на (2/3/4)х34 сегмента
  • Тып корпуса: б/к

IZ7012

  • Функцыянальнае прызначэнне: 8-ми разрядный с FLASH памятью и драйвером ЖКИ на (2/3/4)х34 сегмента
  • Тып корпуса: б/к

КР537РУ25В

  • Тып корпуса: 239.24-2
  • Диапазон температур: -10 +70 °С
  • Организация, бит: 2048 х 8
  • Ток потребления Iсс, мА,не более: 50
  • Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,01

КР537РУ25Б

  • Прататып: HM65161-5
  • Тып корпуса: 239.24-2
  • Диапазон температур: -10 +70 °С
  • Организация, бит: 2048 х 8
  • Ток потребления Iсс, мА,не более: 50
  • Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,01

КР537РУ25А

  • Прататып: CY6116-55C
  • Тып корпуса: 239.24-2
  • Диапазон температур: -10 +70 °С
  • Организация, бит: 2048 х 8
  • Ток потребления Iсс, мА,не более: 50
  • Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,01

КР537РУ14Б

  • Прататып: HM3-6504B-5
  • Тып корпуса: 2107.18-1
  • Диапазон температур: -10 +70 °С
  • Организация, бит: 4096 х 1
  • Ток потребления Iсс, мА,не более: 35
  • Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,005

КР537РУ14А

  • Прататып: HM3-6504S-5
  • Тып корпуса: 2107.18-1
  • Диапазон температур: -10 +70 °С
  • Организация, бит: 4096 х 1
  • Ток потребления Iсс, мА,не более: 35
  • Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,005

КР537РУ13А

  • Прататып: MCM6548-85
  • Тып корпуса: 2107.18-1
  • Диапазон температур: -10 +70 °С
  • Организация, бит: 1024 х 4
  • Ток потребления Iсс, мА,не более: 50
  • Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,005

КР537РУ13

  • Прататып: HM3-6514-5
  • Тып корпуса: 2107.18-1
  • Диапазон температур: -10 +70 °С
  • Организация, бит: 1024 х 4
  • Ток потребления Iсс, мА,не более: 50
  • Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,005

КР537РУ10Б

  • Прататып: TC5517CP-20
  • Тып корпуса: 239.24-2
  • Диапазон температур: -10 +70 °С
  • Организация, бит: 2048 х 8
  • Ток потребления Iсс, мА,не более: 70
  • Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 1

КА537РУ10

  • Прататып: HM3-6516-5
  • Тып корпуса: 239.24-2
  • Диапазон температур: -10 +70 °С
  • Организация, бит: 2048 х 8
  • Ток потребления Iсс, мА,не более: 60
  • Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,4

КР537РУ3Б

  • Прататып: HM3-6504B-5
  • Тып корпуса: 2107.18-1
  • Диапазон температур: -10 +70 °С
  • Организация, бит: 4096 х 1
  • Ток потребления Iсс, мА,не более: 5
  • Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,001

КР537РУ3А

  • Прататып: HM6504-5
  • Тып корпуса: 2107.18-1
  • Диапазон температур: -10 +70 °С
  • Организация, бит: 4096 х 1
  • Ток потребления Iсс, мА,не более: 5
  • Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,001

IN93AA46CD

  • Прататып: 93AA46C
  • Тып корпуса: 4303Ю.8-А
  • Напряжение питания, В: 1,8 - 5,5
  • Организация, бит: 1K (128х8 или 64х16)
  • Ток потребления Iсс, мА,не более: 0,5/3
  • Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 5 или 1
  • Частота, МГц: 1

IN93AA46CN

  • Прататып: 93AA46C
  • Тып корпуса: 2101.8-А
  • Напряжение питания, В: 1,8 - 5,5
  • Организация, бит: 1K (128х8 или 64х16)
  • Ток потребления Iсс, мА,не более: 0,5/3
  • Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 5 или 1
  • Частота, МГц: 1

IN93AA46BD

  • Прататып: 93AA46B
  • Тып корпуса: 4303Ю.8-А
  • Напряжение питания, В: 1,8 - 5,5
  • Организация, бит: 1K (64х16)
  • Ток потребления Iсс, мА,не более: 0,5/3
  • Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 1
  • Частота, МГц: 1

IN93AA46BN

  • Прататып: 93AA46B
  • Тып корпуса: 2101.8-А
  • Напряжение питания, В: 1,8 - 5,5
  • Организация, бит: 1K (64х16)
  • Ток потребления Iсс, мА,не более: 0,5/3
  • Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 1
  • Частота, МГц: 1

IN93AA46AD

  • Прататып: 93AA46A
  • Тып корпуса: 4303Ю.8-А
  • Напряжение питания, В: 1,8 - 5,5
  • Организация, бит: 1K (128х8)
  • Ток потребления Iсс, мА,не более: 0,5/3
  • Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 5
  • Частота, МГц: 1

IN93AA46AN

  • Прататып: 93AA46A
  • Тып корпуса: 2101.8-А
  • Напряжение питания, В: 1,8 - 5,5
  • Организация, бит: 1K (128х8)
  • Ток потребления Iсс, мА,не более: 0,5/3
  • Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 5
  • Частота, МГц: 1

INF8594EN

  • Прататып: PCF8594E-2P
  • Тып корпуса: 2101.8-А
  • Напряжение питания, В: 4,5-5,5
  • Организация, бит: 4K (512х8)
  • Ток потребления Iсс, мА,не более: 0,2/2,5
  • Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 10
  • Частота, кГц: 100

INF8582EN-2

  • Прататып: PCF8582E-2P
  • Тып корпуса: 2101.8-A
  • Напряжение питания, В: 4,5-5,5
  • Организация, бит: 2K (256x8)
  • Ток потребления Iсс, мА,не более: 1,6/2,5
  • Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 10
  • Частота, кГц: 100

IN24LC16BD

  • Прататып: 24LC16B-I/SN
  • Тып корпуса: 4303Ю.8-А
  • Напряжение питания, В: 2,5-5,5
  • Организация, бит: 16K (2048x8)
  • Ток потребления Iсс, мА,не более: 1,0/3,0
  • Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 100
  • Частота, кГц: 100/400

IN24LС16BN

  • Прататып: 24LС16B-I/P
  • Тып корпуса: 2101.8-А
  • Напряжение питания, В: 2,5-5,5
  • Организация, бит: 16K (2048x8)
  • Ток потребления Iсс, мА,не более: 1,0/3,0
  • Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 100
  • Частота, кГц: 100/400

IN24LC08BD

  • Прататып: 24LC08B-I/SN
  • Тып корпуса: 4303Ю.8-А
  • Напряжение питания, В: 2,5-5,5
  • Организация, бит: 8K (1024x8)
  • Ток потребления Iсс, мА,не более: 1,0/3,0
  • Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 100
  • Частота, кГц: 100/400

IN24LC08BN

  • Прататып: 24LC08B-I/P
  • Тып корпуса: 2101.8-А
  • Напряжение питания, В: 2,5-5,5
  • Организация, бит: 8K (1024x8)
  • Ток потребления Iсс, мА,не более: 1,0/3,0
  • Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 100
  • Частота, кГц: 100/400

IN24LC04BD

  • Прататып: 24LC04B-I/SN
  • Тып корпуса: 4303Ю.8-А
  • Напряжение питания, В: 2,5-5,5
  • Организация, бит: 4K (512x8)
  • Ток потребления Iсс, мА,не более: 1,0/3,0
  • Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 100
  • Частота, кГц: 100/400

IN24LC04BN

  • Прататып: 24LC04B-I/P
  • Тып корпуса: 2101.8-А
  • Напряжение питания, В: 2,5-5,5
  • Организация, бит: 4K (512х8)
  • Ток потребления Iсс, мА,не более: 1,0/3,0
  • Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 100
  • Частота, кГц: 100/400

IN24LC02D

  • Прататып: 24LC02-I/SN
  • Тып корпуса: 4303Ю.8-А
  • Напряжение питания, В: 2,5-5,5
  • Организация, бит: 2K (256x8)
  • Ток потребления Iсс, мА,не более: 1,0/3,0
  • Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 100
  • Частота, кГц: 100/400

IN24LC02N

  • Прататып: 24LC02-I/P
  • Тып корпуса: 2101.8-А
  • Напряжение питания, В: 2,5-5,5
  • Организация, бит: 2K (256x8)
  • Ток потребления Iсс, мА,не более: 1,0/3,0
  • Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 100
  • Частота, кГц: 100/400

IN24LC02BD

  • Прататып: 24LC02B-I/SN
  • Тып корпуса: 4303Ю.8-А
  • Напряжение питания, В: 2,5-5,5
  • Организация, бит: 2K (256x8)
  • Ток потребления Iсс, мА,не более: 1,0/3,0
  • Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 100
  • Частота, кГц: 100/400