-
Прататып:
24LC02B-I/P
-
Тып корпуса:
2101.8-А
-
Напряжение питания, В:
2,5-5,5
-
Организация, бит:
2K (256x8)
-
Ток потребления Iсс, мА,не более:
1,0/3,0
-
Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более:
100
-
Частота, кГц:
100/400
-
Прататып:
24AA32-/SM
-
Тып корпуса:
4303Ю.8-А
-
Напряжение питания, В:
1,8-5,5
-
Организация, бит:
32K (4096x8)
-
Ток потребления Iсс, мА,не более:
0,4/3,0
-
Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более:
1
-
Частота, кГц:
100/400
-
Прататып:
24AA32-/P
-
Тып корпуса:
2101.8-А
-
Напряжение питания, В:
1,8-5,5
-
Организация, бит:
32K (4096x8)
-
Ток потребления Iсс, мА,не более:
0,4/3,0
-
Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более:
1
-
Частота, кГц:
100/400
-
Прататып:
24AA08-I/SN
-
Тып корпуса:
4303Ю.8-А
-
Напряжение питания, В:
1,8-5,5
-
Организация, бит:
8K (1024x8)
-
Ток потребления Iсс, мА,не более:
1,0/3,0
-
Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более:
100
-
Частота, кГц:
100/400
-
Прататып:
24AA08-I/P
-
Тып корпуса:
2101.8-А
-
Напряжение питания, В:
1,8-5,5
-
Организация, бит:
8K (1024x8)
-
Ток потребления Iсс, мА,не более:
1,0/3,0
-
Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более:
100
-
Частота, кГц:
100/400
-
Прататып:
24AA02-I/SN
-
Тып корпуса:
4303Ю.8-А
-
Напряжение питания, В:
1,8-5,5
-
Организация, бит:
2K (256x8)
-
Ток потребления Iсс, мА,не более:
1,0/3,0
-
Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более:
1
-
Частота, кГц:
100/400
-
Прататып:
24AA02-I/P
-
Тып корпуса:
2101.8-А
-
Напряжение питания, В:
1,8-5,5
-
Организация, бит:
2K (256x8)
-
Ток потребления Iсс, мА,не более:
1,0/3,0
-
Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более:
1
-
Частота, кГц:
100/400
-
Прататып:
24AA02-I/SN
-
Тып корпуса:
4303Ю.8-А
-
Напряжение питания, В:
1,8-5,5
-
Организация, бит:
2K (256x8)
-
Ток потребления Iсс, мА,не более:
1,0/3,0
-
Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более:
1
-
Частота, кГц:
100/400
-
Прататып:
24AA02-I/P
-
Тып корпуса:
2101.8-А
-
Напряжение питания, В:
1,8-5,5
-
Организация, бит:
2K (256x8)
-
Ток потребления Iсс, мА,не более:
1,0/3,0
-
Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более:
1
-
Частота, кГц:
100/400