• Характеристика процесса: Количество фотолитографий, шт.        17
  
  Проектная норма, мкм                        1.5
  
  Подложка:                    КДБ12, 2 кармана
  
  Глубина N/P-кармана, мкм                  5/6
  
  ПKK резисторы Р-типа
  
  Биполярный вертикальный NPNтранзистор
  
  Подзатворный SiO2, Å                        250
  
  Межслойный диэлектрик:               БФСС
  
  длина канала NMOS/PMOS, мкм         1.7
  
  N и P LDD- стоки
  
  шаг ПКК, мкм                                        2.5
  
  контакты, мкм                                   ø 1.3
  
  шаг по металлу, мкм                            3.5
• Применение, элементная база: Схемы контроллеров напряжения питания
  
  NMOS:
  
  Vtn= 0.5 B , Usd >10 В
  
  PMOS:
  
  Vtp= 0.5 B, Usd >10 В