• Характеристика процесса: Кол-во фотолитографий, шт.    14 (16)
  
  Проектная норма, мкм                  0.8
  
  Подложка:           КЭФ4.5 или КДБ12
  
  2 кармана
  
  Глубина N/ P карманов, мкм          4/4
  
  Межслойный диэлектрик:
  
  SACVD SiO2 + ПХ ТЭОС, мкм       1,05
  
  Подзатворный SiO2, Å           130 / 160
  
  длина канала
  
  NMOS/PMOS, мкм                     0.9/1.0
  
  N и P  LDD- стоки
  
  металл I                         Ti/AlCu / Ti /TiN
  
  шаг ПКК, мкм                                     1.9
  
  контакты 1 (заполнены W), мкм       0.7
  
  шаг по металлу 1, мкм                     2.2
  
  металл 2                                  /Ti/AlCu
  
  контакты 2 (заполнены W), мкм ø    0.7
  
  шаг по металлу 2, мкм                     2.4
• Применение, элементная база: ИМС для телефонии, заказные ИМС
  с  Uпит от 3 до 5 В
  
   NMOS: Vtn=0.6 В, Usd >10 В
  
  PMOS: Vtр=-0.7 В, Usd >10 B