МЕНЮ Высокія тэхналогіі для лепшага жыцця
BY
Выбраць мову
CN RU EN

Полевые

Меню раздела Выбраць параметры Заказать выбранное
Абазначэнне Прататып Функцыянальнае прызначэнне Тып корпуса
IFP1N60 WFP1N60 N – канальный транзистор 600 В; 12,000 Ом – 1 А TO-220/3
IZ50N50**   N – канальный транзистор 500 В; 0,120 Ом – 50 А б/к
IZ20N50**   N – канальный транзистор 500 В; 0,260 Ом – 20 А б/к
IZ13N50**   N – канальный транзистор 500 В; 0,490 Ом – 13 А б/к
IFP840 WFP840 N – канальный транзистор 500 В; 0,850 Ом – 8 А TO-220/3
IFP830 WFP830 N – канальный транзистор 500 В; 1,400 Ом – 5 А TO-220/3
IFP740 WFP740 N – канальный транзистор 400 В; 0,550 Ом – 10 А TO-220/3
IFP730 WFP730 N – канальный транзистор 400 В; 0,950 Ом – 6 А TO-220/3
IZ634**   N – канальный транзистор 250 В; 0,450 Ом – 8 А б/к
IZ640**   N – канальный транзистор 200 В; 0,180 Ом – 18 А б/к
IZ630**   N – канальный транзистор 200 В; 0,400 Ом – 9 А б/к
IFP75N08 WFP75N08 N – канальный транзистор 80 В; 0,015 Ом – 75 А TO-220/3
IZ75N75**   N – канальный транзистор 75 В; 0,017 Ом – 75 А б/к
IZ85N06**   N – канальный транзистор 60 В; 0,012 Ом – 85 А б/к
IZ70N06**   N – канальный транзистор 60 В; 0,015 Ом – 70 А б/к
IFP50N06* WFP50N06 N – канальный транзистор 60 В; 0,022 Ом – 50 А TO-220/3

Задать вопрос