Транзістары

Выбраць параметры

Прататып
Тып корпуса

	Абазначэнне	Прататып	Функцыянальнае прызначэнне	Тып корпуса	Диапазон температур	fгр, МГц	h21е	Iк max, мА	Полярность	Рк max, Вт	Uэб max, В	Uкб max, В	Uкэ max, В	Uкэ нас, В
	КТ209В1			КТ-26	-45 +100 °С	5	>30	300	PNP	0,2	10	15	15	0,4
КТ209В1 Дакументацыя Тэхнічная падтрымка
	КТ209В			КТ-26	-45 +100 °С	5	80...240	300	PNP	0,2	10	15	15	0,4
КТ209В Дакументацыя Тэхнічная падтрымка
	КТ209Б1			КТ-26	-45 +100 °С	5	>12	300	PNP	0,2	5	15	15	0,4
КТ209Б1 Дакументацыя Тэхнічная падтрымка
	КТ209Б			КТ-26	-45 +100 °С	5	40...120	300	PNP	0,2	10	15	15	0,4
КТ209Б Дакументацыя Тэхнічная падтрымка
	КТ209А			КТ-26	-45 +100 °С	5	20...60	300	PNP	0,2	10	15	15	0,4
КТ209А Дакументацыя Тэхнічная падтрымка
	IZ024N	IRFU024N	N – канальный транзистор 55 В; 0,075 Ом - 17 А	б/к
IZ024N Тэхнічная падтрымка
	IWP5NK80Z	STP5NK80Z	N – канальный транзистор 800 В; 2,4 Ом – 4,3 А	TO-220/3
IWP5NK80Z Тэхнічная падтрымка
	IZ11N90**		N – канальный транзистор 900 В; 1,1 Ом – 11 А	б/к
IZ11N90** Тэхнічная падтрымка
	IZ9N90**		N – канальный транзистор 900 В; 1,4 Ом – 9 А	б/к
IZ9N90** Тэхнічная падтрымка
	IZ10N80**		N – канальный транзистор 800 В; 1,1 Ом – 10 А	б/к
IZ10N80** Тэхнічная падтрымка
	IZ3N80**		N – канальный транзистор 800 В; 5,0 Ом – 3 А	б/к
IZ3N80** Тэхнічная падтрымка
	IFD1N80	WFD1N80	N - канальный транзистор 800 В; 18,0 Ом - 1 А	D-PAK
IFD1N80 Тэхнічная падтрымка
	IFU1N80	WFU1N80	N – канальный транзистор 800 В; 18,0 Ом – 1 А	I-PAK
IFU1N80 Дакументацыя Тэхнічная падтрымка
	IFP1N80	WFP1N80	N – канальный транзистор 800 В; 18,0 Ом – 1 А	TO-220/3
IFP1N80 Тэхнічная падтрымка
	IZ12N65**		N – канальный транзистор 650 В; 0,8 Ом – 12 А	б/к
IZ12N65** Тэхнічная падтрымка
	IZ10N65**		N – канальный транзистор 650 В; 0,85 Ом – 10 А	б/к
IZ10N65** Тэхнічная падтрымка
	IZ7N65**		N – канальный транзистор 650 В; 1,3 Ом – 7 А	б/к
IZ7N65** Тэхнічная падтрымка
	IZ4N65**		N – канальный транзистор 650 В; 2,7 Ом – 4 А	б/к
IZ4N65** Тэхнічная падтрымка
	IZ2N65**		N – канальный транзистор 650 В; 5,5 Ом – 2 А	б/к
IZ2N65** Тэхнічная падтрымка
	IZ1N65**		N – канальный транзистор 650 В; 13,0 Ом – 1 А	б/к
IZ1N65** Тэхнічная падтрымка
	IZ40N60**		N – канальный транзистор 600 В; 0,16 Ом – 40 А	б/к
IZ40N60** Тэхнічная падтрымка
	IZ28N60**		N – канальный транзистор 600 В; 0,24 Ом – 28 А	б/к
IZ28N60** Тэхнічная падтрымка
	IZ24N60**		N – канальный транзистор 600 В; 0,26 Ом – 24 А	б/к
IZ24N60** Тэхнічная падтрымка
	IZ20N60**		N – канальный транзистор 600 В; 0,32 Ом – 20 А	б/к
IZ20N60** Тэхнічная падтрымка
	IZ12N60**		N – канальный транзистор 600 В; 0,7 Ом – 12 А	б/к
IZ12N60** Тэхнічная падтрымка
	IZ10N60**		N – канальный транзистор 600 В; 0,8 Ом – 10 А	б/к
IZ10N60** Тэхнічная падтрымка
	IFP7N60	WFP7N60	N – канальный транзистор 600 В; 1,2 Ом – 7 А	TO-220/3
IFP7N60 Тэхнічная падтрымка
	IFF4N60	WFF4N60	N – канальный транзистор 600 В; 2,5 Ом – 4,0 А	TO-220FP
IFF4N60 Тэхнічная падтрымка
	IFP4N60	STP4NC60	N – канальный транзистор 600 В; 2,5 Ом – 4,0 А	TO-220/3
IFP4N60 Дакументацыя Тэхнічная падтрымка
	IFF2N60	WFF2N60	N – канальный транзистор 600 В; 5,0 Ом – 2 А	TO-220FP
IFF2N60 Тэхнічная падтрымка

Товары 511 - 540 из 561

Начало Предыдущая 15 16 17 18 19 Следующая Конец