Паўправадніковыя прыборы

Паўправадніковыя прыборы

2С487А-Т

  • Функцыянальнае прызначэнне: Серия стабилитронов предназначена для работы в аппаратуре специального назначения
  • Тып корпуса: КД-34

2Д814А1

  • Функцыянальнае прызначэнне: Импульсные диоды предназначены для работы в аппаратуре специального назначения
  • Тып корпуса: КД-34

2Д814А

  • Функцыянальнае прызначэнне: Импульсные диоды предназначены для работы в аппаратуре специального назначения
  • Тып корпуса: КД-3

2Д695В

  • Функцыянальнае прызначэнне: Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные диоды предназначены для работы в аппаратуре специального назначения
  • Тып корпуса: КД-34

2Д695Б

  • Функцыянальнае прызначэнне: Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные диоды предназначены для работы в аппаратуре специального назначения
  • Тып корпуса: КД-34

2Д695А

  • Функцыянальнае прызначэнне: Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные диоды предназначены для работы в аппаратуре специального назначения
  • Тып корпуса: КД-34

2Д522Б

  • Функцыянальнае прызначэнне: Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные диоды предназначены для работы в аппаратуре специального назначения
  • Тып корпуса: КД-3

2Д510А

  • Функцыянальнае прызначэнне: Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные диоды предназначены для работы в аппаратуре специального назначения
  • Тып корпуса: КД-3

IZ024N

  • Прататып: IRFU024N
  • Функцыянальнае прызначэнне: N – канальный транзистор 55 В; 0,075 Ом - 17 А
  • Тып корпуса: б/к

IWP5NK80Z

  • Прататып: STP5NK80Z
  • Функцыянальнае прызначэнне: N – канальный транзистор 800 В; 2,4 Ом – 4,3 А
  • Тып корпуса: TO-220/3

IZ11N90**

  • Функцыянальнае прызначэнне: N – канальный транзистор 900 В; 1,1 Ом – 11 А
  • Тып корпуса: б/к

IZ9N90**

  • Функцыянальнае прызначэнне: N – канальный транзистор 900 В; 1,4 Ом – 9 А
  • Тып корпуса: б/к

IZ10N80**

  • Функцыянальнае прызначэнне: N – канальный транзистор 800 В; 1,1 Ом – 10 А
  • Тып корпуса: б/к

IZ3N80**

  • Функцыянальнае прызначэнне: N – канальный транзистор 800 В; 5,0 Ом – 3 А
  • Тып корпуса: б/к

IFD1N80

  • Прататып: WFD1N80
  • Функцыянальнае прызначэнне: N - канальный транзистор 800 В; 18,0 Ом - 1 А
  • Тып корпуса: D-PAK

IFU1N80

  • Прататып: WFU1N80
  • Функцыянальнае прызначэнне: N – канальный транзистор 800 В; 18,0 Ом – 1 А
  • Тып корпуса: I-PAK

IFP1N80

  • Прататып: WFP1N80
  • Функцыянальнае прызначэнне: N – канальный транзистор 800 В; 18,0 Ом – 1 А
  • Тып корпуса: TO-220/3

IZ12N65**

  • Функцыянальнае прызначэнне: N – канальный транзистор 650 В; 0,8 Ом – 12 А
  • Тып корпуса: б/к

IZ10N65**

  • Функцыянальнае прызначэнне: N – канальный транзистор 650 В; 0,85 Ом – 10 А
  • Тып корпуса: б/к

IZ7N65**

  • Функцыянальнае прызначэнне: N – канальный транзистор 650 В; 1,3 Ом – 7 А
  • Тып корпуса: б/к

IZ4N65**

  • Функцыянальнае прызначэнне: N – канальный транзистор 650 В; 2,7 Ом – 4 А
  • Тып корпуса: б/к

IZ2N65**

  • Функцыянальнае прызначэнне: N – канальный транзистор 650 В; 5,5 Ом – 2 А
  • Тып корпуса: б/к

IZ1N65**

  • Функцыянальнае прызначэнне: N – канальный транзистор 650 В; 13,0 Ом – 1 А
  • Тып корпуса: б/к

IZ40N60**

  • Функцыянальнае прызначэнне: N – канальный транзистор 600 В; 0,16 Ом – 40 А
  • Тып корпуса: б/к

IZ28N60**

  • Функцыянальнае прызначэнне: N – канальный транзистор 600 В; 0,24 Ом – 28 А
  • Тып корпуса: б/к

IZ24N60**

  • Функцыянальнае прызначэнне: N – канальный транзистор 600 В; 0,26 Ом – 24 А
  • Тып корпуса: б/к

IZ20N60**

  • Функцыянальнае прызначэнне: N – канальный транзистор 600 В; 0,32 Ом – 20 А
  • Тып корпуса: б/к

IZ12N60**

  • Функцыянальнае прызначэнне: N – канальный транзистор 600 В; 0,7 Ом – 12 А
  • Тып корпуса: б/к

IZ10N60**

  • Функцыянальнае прызначэнне: N – канальный транзистор 600 В; 0,8 Ом – 10 А
  • Тып корпуса: б/к

IFP7N60

  • Прататып: WFP7N60
  • Функцыянальнае прызначэнне: N – канальный транзистор 600 В; 1,2 Ом – 7 А
  • Тып корпуса: TO-220/3