МЕНЮ Высокія тэхналогіі для лепшага жыцця
BY
Выбраць мову
CN RU EN
Паўправадніковыя прыборы устойлівая да звышвысокіх вонкавых ўздзейнічаючых фактараў

Паўправадніковыя прыборы устойлівая да звышвысокіх вонкавых ўздзейнічаючых фактараў

Меню раздела Выбраць параметры Заказать выбранное
Абазначэнне Прататып Функцыянальнае прызначэнне Тып корпуса Диапазон температур h21е Ic max, A Iимп.макс, А Iкбо, мкА Iкэк, мА Iк max, мА Iпр.макс , А I обр., мА Полярность P max, Вт Рк max, Вт Rси, Oм Uэб max, В Uкб max, В Uкэ max, В Uкэ нас, В Uобр. макс, В Uпр., В (при Iпр., А) Uси max, В Uзи max, В Uзи пор, В
2П7145А-5/ИМ IRFP250   б/к     30               150   0,1             200 ±20 2,0...4,0
2П771А-6 STP40N10   б/к     40               150   0,045             100 ±20 2,0...4,0
2П771А-5 STP40N10   б/к     40               150   0,045             100 ±20 2,0...4,0
2П525А-5     б/к     1,14               3   1,4             100 ±10 1,5…2,5
2Е802А-5 IRG4DC30   б/к           0,25 23         50   ±20   600 2,7          
2Т8224А-5     б/к*   3,5...10     0,2   10     NPN   65   5 1500 700 2          
2ДШ2121А-5/ИМ     б/к       50       5 0,2                 100 0,8 (5,0)      
2С487А-Т   Серия стабилитронов предназначена для работы в аппаратуре специального назначения КД-34                                            
2Д814А1   Импульсные диоды предназначены для работы в аппаратуре специального назначения КД-34                                            
2Д814А   Импульсные диоды предназначены для работы в аппаратуре специального назначения КД-3                                            
2Д695В   Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные диоды предназначены для работы в аппаратуре специального назначения КД-34                                            
2Д695Б   Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные диоды предназначены для работы в аппаратуре специального назначения КД-34                                            
2Д695А   Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные диоды предназначены для работы в аппаратуре специального назначения КД-34                                            
2Д522Б   Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные диоды предназначены для работы в аппаратуре специального назначения КД-3                                            
2Д510А   Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные диоды предназначены для работы в аппаратуре специального назначения КД-3                                            
2П7145Б1/ИМ IRFP250   КТ-97С -60 +100 °С   26               150   0,1             200 ±20 2,0...4,0
2П7145Б/ИМ IRFP250   КТ-9 -60 +100 °С   26               150   0,1             200 ±20 2,0...4,0
2П7145А1/ИМ IRFP250   КТ-97С -60 +100 °С   30               150   0,085             200 ±20 2,0...4,0
2П7145А/ИМ IRFP250   КТ-9 -60 +100 °С   30               150   0,085             200 ±20 2,0...4,0
2П771А91 STP40N10   КТ-90 -60 +100 °С   40               150   0,045             100 ±20 2,0...4,0
2П771А STP40N10   КТ-28-2 -60 +100 °С   40               150   0,045             100 ±20 2,0...4,0
2ДШ142АС9     КТ-46A -60 +100 °С     0,07       0,05 0,01                 18 0,57 (0,05)      
2ДШ142А9     КТ-46A -60 +100 °С     0,07       0,05 0,01                 18 0,57 (0,05)      
2П7233А     КТ-97В -60 +125 °С   40               150   0,03             60 ±10 1,0...2,0
2П7172А     КТ-97В -60 +125 °С   30               125   0,05             100 ±20 2,0...4,5
2П525А9     КТ-99-1 -60 +125 °С   1,14               3   1,4             100 ±10 1,5…2,5
2П524А9     КТ-99-1 -60 +125 °С   1,4               1   1             60 ±10 1,0...2,0
2П524А-5     КТ-99-1 -60 +125 °С   1,4               1   1             60 ±10 1,0...2,0
2ТД8307А9     КТ-99-1 -60 +125 °С >3000         2     NPN   5   5 80 40            
2ТД543А9     КТ-99-1 -60 +125 °С >2000         1     NPN   0,8   5 80 80