Запоминающие устройства Серии 541; 537; 1632; 1675РТ014; 1676РТ015; 1623; 1617; 1635; 1644; 1642; 1669; 9000; 1835PE2Т; 9001РТ1У; 1659РУ1Т; 1666РЕ014
* - разработка
1676РТ015*
- Прататып: AM27C040-150DE
- Функцыянальнае прызначэнне: Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования информационной емкостью 4Мбит (512К×8 бит)
- Тып корпуса: 5134.64-6
1675РТ014
- Прататып: 1675РТ014
- Функцыянальнае прызначэнне: Постоянное запоминающее устройство информационной емкостью 1Мбит (128К×8 бит) с возможностью однократного программирования, UCC = 3,0В ÷ 3,6В
- Тып корпуса: 4149.36-1
- UUcc,В: 0,8
- Диапазон температур: от -60°С до + 125°С;
- Напряжение питания, В: 3,3B±10%
- Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 60
9000РУ6У
- Прататып: CY7C1051D
- Функцыянальнае прызначэнне: КМОП оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 8Мбит (512К х16 бит)
- Тып корпуса: 5134.64-6
9000РУ5У
- Прататып: -
- Функцыянальнае прызначэнне: КМОП оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 8Мбит (256К х 32 бит)
- Тып корпуса: 5134.64-6
9000РУ4У
- Прататып: ACT-S512K32
- Функцыянальнае прызначэнне: КМОП оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 16Мбит (512К x 32 бит)
- Тып корпуса: 5134.64-6
9000РУ3У
- Прататып: ACT-S128K32
- Функцыянальнае прызначэнне: КМОП оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 4Мбит (128К х 32 бит)
- Тып корпуса: Н18.64-3В
9000РУ2У
- Прататып: ACT-S512K8
- Функцыянальнае прызначэнне: КМОП оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 4Мбит (512К х 8 бит)
- Тып корпуса: Н18.64-3В
9000РУ1У
- Прататып: CY7C1041D
- Функцыянальнае прызначэнне: КМОП оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 4Мбит (256К х 16 бит)
- Тып корпуса: Н18.64-3В
1669РА035
- Прататып: ACT-S512K8
- Функцыянальнае прызначэнне: Оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 4Мбит (512К x 8 бит)
- Тып корпуса: 5134.64-6
1669РА025
- Прататып: CY7C1041D
- Функцыянальнае прызначэнне: Оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 4Мбит (256К x 16 бит)
- Тып корпуса: 5134.64-6
1669РА015
- Прататып: ACT-S128K32
- Функцыянальнае прызначэнне: Оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 4Мбит (128К x 32 бит)
- Тып корпуса: 5134.64-6
Б1623РТ1-4
- Функцыянальнае прызначэнне: Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования (ППЗУ) информационной емкостью 16Кбит (2К x 8 бит)
-
Тып корпуса:
Кристалл
Б541РУ2-4
- Функцыянальнае прызначэнне: Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (1024 х 4 бит)
- Тып корпуса: Кристалл
Б541РУ1-4
- Функцыянальнае прызначэнне: Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (4096 х 1 бит)
- Тып корпуса: Кристалл
Б541РТ2-4
- Функцыянальнае прызначэнне: Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования информационной емкостью 16Кбит (2048 х 8 бит)
- Тып корпуса: Кристалл
Б541РТ1-4
- Функцыянальнае прызначэнне: Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования информационной емкостью 1Кбит (256 х 4 бит)
- Тып корпуса: Кристалл
1623PT2Б
- Функцыянальнае прызначэнне: Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования информационной емкостью 64Кбит (8К x 8 бит)
- Тып корпуса: 4119.28-6
- Диапазон температур: -60 +85 °С
- Организация, бит: 8192 х 8
- Ток потребления Iсс, мА,не более: 50
- Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,04
1623РТ2А
- Прататып: HM6664
- Функцыянальнае прызначэнне: Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования информационной емкостью 64Кбит (8К x 8 бит)
- Тып корпуса: 4119.28-6
- Диапазон температур: -60 +85 °С
- Организация, бит: 8192 х 8
- Ток потребления Iсс, мА,не более: 50
- Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,04
М1623РТ1Б
- Функцыянальнае прызначэнне: Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования (ППЗУ) информационной емкостью 16Кбит (2К x 8 бит)
- Тып корпуса: 210Б.24-1
- Диапазон температур: -60 +85 °С
- Организация, бит: 2048 х 8
- Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,04
M1623PT1A
- Прататып: HM6616
- Функцыянальнае прызначэнне: Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования (ППЗУ) информационной емкостью 16Кбит (2К x 8 бит)
- Тып корпуса: 210Б.24-1
- Диапазон температур: -60 +85 °С
- Организация, бит: 2048 х 8
- Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,04
537РУ14Б
- Функцыянальнае прызначэнне: Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (4К x 1 бит)
- Тып корпуса: 427.18-2.03
- Диапазон температур: -60 +85 °С
- Организация, бит: 4096 х 1
- Ток потребления Iсс, мА,не более: 35
- Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,005
537РУ14А
- Функцыянальнае прызначэнне: Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (4К x 1 бит)
- Тып корпуса: 427.18-2.03
- Диапазон температур: -60 +85 °С
- Организация, бит: 4096 х 1
- Ток потребления Iсс, мА,не более: 35
- Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,005
537РУ13
- Функцыянальнае прызначэнне: Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (1К x 4 бит)
- Тып корпуса: 427.18-2.03
- Диапазон температур: -60 +85 °С
- Организация, бит: 1024 х 4
- Ток потребления Iсс, мА,не более: 60
- Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,01
537РУ3Б
- Функцыянальнае прызначэнне: Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (4К x 1 бит)
- Тып корпуса: 427.18-2.03
- Диапазон температур: -60 +85 °С
- Организация, бит: 4096 х 1
- Ток потребления Iсс, мА,не более: 20
- Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,001
537РУ3A
- Функцыянальнае прызначэнне: Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (4К x 1 бит)
- Тып корпуса: 427.18-2.03
- Диапазон температур: -60 +85 °С
- Организация, бит: 4096 х 1
- Ток потребления Iсс, мА,не более: 20
- Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,001
1617РУ14Б
- Функцыянальнае прызначэнне: Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (4К x 1 бит)
- Тып корпуса: 427.18-1.02
- Диапазон температур: -60 +85 °С
- Организация, бит: 4096 х 1
- Ток потребления Iсс, мА,не более: 55
- Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,001
1617РУ14А
- Функцыянальнае прызначэнне: Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (4К х 1 бит)
- Тып корпуса: 427.18-1.02
- Диапазон температур: -60 +85 °С
- Организация, бит: 4096 х 1
- Ток потребления Iсс, мА,не более: 55
- Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,001
1617РУ13Б
- Функцыянальнае прызначэнне: Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (1К x 4 бит)
- Тып корпуса: 427.18-1.02
- Диапазон температур: -60 +85 °С
- Организация, бит: 1024 х 4
- Ток потребления Iсс, мА,не более: 55
- Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,001
1617РУ13A
- Функцыянальнае прызначэнне: Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (1К x 4 бит)
- Тып корпуса: 427.18-1.02
- Диапазон температур: -60 +85 °С
- Организация, бит: 1024 х 4
- Ток потребления Iсс, мА,не более: 55
- Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,001
1666РЕ014
- Функцыянальнае прызначэнне: Энергонезависимое оперативное запоминающее устройство (FRAM) информационной емкостью 1 Мбит (128 К х 8) бит
- Тып корпуса: 4184.32-1