BY
CN
RU
EN
Запоминающие устройства Серии 541; 537; 1632; 1675РТ014; 1676РТ015; 1623; 1617; 1635; 1644; 1642; 1669; 9000; 1835PE2Т; 9001РТ1У; 1659РУ1Т; 1666РЕ014
Запоминающие устройства Серии 541; 537; 1632; 1675РТ014; 1676РТ015; 1623; 1617; 1635; 1644; 1642; 1669; 9000; 1835PE2Т; 9001РТ1У; 1659РУ1Т; 1666РЕ014
* - разработка
|
Абазначэнне | Прататып | Функцыянальнае прызначэнне | Тып корпуса | Диапазон температур | Напряжение питания, В | Организация, бит | Основные характеристики | Ток потребления Iсс, мА,не более | Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более | UUcc,В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
1676РТ015* | AM27C040-150DE | Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования информационной емкостью 4Мбит (512К×8 бит) | 5134.64-6 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1623PT2Б | Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования информационной емкостью 64Кбит (8К x 8 бит) | 4119.28-6 | -60 +85 °С | 8192 х 8 | 50 | 0,04 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1623РТ2А | HM6664 | Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования информационной емкостью 64Кбит (8К x 8 бит) | 4119.28-6 | -60 +85 °С | 8192 х 8 | 50 | 0,04 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Б541РТ2-4 | Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования информационной емкостью 16Кбит (2048 х 8 бит) | Кристалл | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Б1623РТ1-4 | Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования (ППЗУ) информационной емкостью 16Кбит (2К x 8 бит) | Кристалл |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
М1623РТ1Б | Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования (ППЗУ) информационной емкостью 16Кбит (2К x 8 бит) | 210Б.24-1 | -60 +85 °С | 2048 х 8 | 0,04 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
M1623PT1A | HM6616 | Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования (ППЗУ) информационной емкостью 16Кбит (2К x 8 бит) | 210Б.24-1 | -60 +85 °С | 2048 х 8 | 0,04 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1632РТ2Т | Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования (ППЗУ) информационной емкостью 1 Мбит (128 К х 8 бит) | 4149.36-1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1675РТ014 | 1675РТ014 | Постоянное запоминающее устройство информационной емкостью 1Мбит (128К×8 бит) с возможностью однократного программирования, UCC = 3,0В ÷ 3,6В | 4149.36-1 | от -60°С до + 125°С; | 3,3B±10% | 60 | 0,8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1635РТ2У | Постоянное запоминающее устройство c возможностью однократного программирования (ППЗУ) информационной емкостью 512К и организацией (64Кх8) бит | H18.64-3В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1635РТ1У | Постоянное запоминающее устройство c возможностью однократного программирования (ППЗУ) информационной емкостью 256 бит и организацией (32х8) бит | H16.48-1B | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1632РТ1Т | Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования (ППЗУ) информационной емкостью 256К и организацией 32768 х 8 разрядов | 4119.28-6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1635РТ3У | TMS27PC512 | Постоянное запоминающее устройство информационной емкостью 512Кбит (64К×8 бит) с возможностью однократного программирования, напряжение питания - 3,0В ÷ 3,6В | Н18.64-3В | напряжение питания - UCС= 3,3B+-10 %; динамический ток потребления – IОСС ≤ 40мА; ток потребления в режиме хранения - ICCS ≤ 60мкА; время выбора - tCS ≤ 120нс; время выборки разрешения выхода – tА(OE) ≤60нс; рабочий температурный диапазон - от минус 60°С до плюс 125°С. Стойкость к СВВФ: 7.И1 - 4Ус, 7.И6 - 6Ус, 7.И7 - 6Ус, 7.С1 - 50×5Ус, 7.С4 - 10×1Ус, 7.К1 - 5×2К, 7.К4 – 5×1К АЕНВ.431210.147 ТУ |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1642РГ1УБМ | IDT7205L | ОЗУ статическое (8Kx9) типа FIFO | Н16.48-1В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1642РГ1ТБМ | IDT7205L | ОЗУ статическое (8Кх9) типа FIFO | 4183.28-4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1642РГ1РБМ | IDT7205L | ОЗУ статическое (8Кх9) типа FIFO | 2121.28-6 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1835РЕ2Т | Масочное ПЗУ емкостью 1 Мбит с организацией 128Кх8 | 4119.28-6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1635РУ1Т/AT | CY7C199-20DMB | Статическое ОЗУ информационной емкостью 256К (32К х 8) | 4183.28-2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1635РУ2Т | CY7C1009 (IS61C1024AL) | Статическое ОЗУ информационной емкостью 1 Мбит (128Кх8) | 4149.36-1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
541РУ2 | Оперативное запоминающее устройство статическое 1024х4 | 427.18-2.03 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
541РУ1 | Оперативное запоминающее устройство статическое 4096х1 | 427.18-2.03 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
* - разработка
Товары
31 - 51 из 51