Электронная кампанентная база устойлівая да звышвысокіх вонкавых ўздзейнічаючых фактараў

Электронная кампанентная база устойлівая да звышвысокіх вонкавых ўздзейнічаючых фактараў

9000РУ2У

  • Прататып: ACT-S512K8
  • Функцыянальнае прызначэнне: КМОП оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 4Мбит (512К х 8 бит)
  • Тып корпуса: Н18.64-3В

9000РУ1У

  • Прататып: CY7C1041D
  • Функцыянальнае прызначэнне: КМОП оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 4Мбит (256К х 16 бит)
  • Тып корпуса: Н18.64-3В

1669РА035

  • Прататып: ACT-S512K8
  • Функцыянальнае прызначэнне: Оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 4Мбит (512К x 8 бит)
  • Тып корпуса: 5134.64-6

1669РА025

  • Прататып: CY7C1041D
  • Функцыянальнае прызначэнне: Оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 4Мбит (256К x 16 бит)
  • Тып корпуса: 5134.64-6

1669РА015

  • Прататып: ACT-S128K32
  • Функцыянальнае прызначэнне: Оперативное запоминающее устройство статическое информационной ёмкостью 4Мбит (128К x 32 бит)
  • Тып корпуса: 5134.64-6

Б1623РТ1-4

  • Функцыянальнае прызначэнне: Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования (ППЗУ) информационной емкостью 16Кбит (2К x 8 бит)
  • Тып корпуса: Кристалл
     

Б541РУ2-4

  • Функцыянальнае прызначэнне: Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (1024 х 4 бит)
  • Тып корпуса: Кристалл

Б541РУ1-4

  • Функцыянальнае прызначэнне: Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (4096 х 1 бит)
  • Тып корпуса: Кристалл

Б541РТ2-4

  • Функцыянальнае прызначэнне: Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования информационной емкостью 16Кбит (2048 х 8 бит)
  • Тып корпуса: Кристалл

Б541РТ1-4

  • Функцыянальнае прызначэнне: Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования информационной емкостью 1Кбит (256 х 4 бит)
  • Тып корпуса: Кристалл

1623PT2Б

  • Функцыянальнае прызначэнне: Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования информационной емкостью 64Кбит (8К x 8 бит)
  • Тып корпуса: 4119.28-6
  • Диапазон температур: -60 +85 °С
  • Организация, бит: 8192 х 8
  • Ток потребления Iсс, мА,не более: 50
  • Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,04

1623РТ2А

  • Прататып: HM6664
  • Функцыянальнае прызначэнне: Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования информационной емкостью 64Кбит (8К x 8 бит)
  • Тып корпуса: 4119.28-6
  • Диапазон температур: -60 +85 °С
  • Организация, бит: 8192 х 8
  • Ток потребления Iсс, мА,не более: 50
  • Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,04

М1623РТ1Б

  • Функцыянальнае прызначэнне: Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования (ППЗУ) информационной емкостью 16Кбит (2К x 8 бит)
  • Тып корпуса: 210Б.24-1
  • Диапазон температур: -60 +85 °С
  • Организация, бит: 2048 х 8
  • Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,04

M1623PT1A

  • Прататып: HM6616
  • Функцыянальнае прызначэнне: Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программирования (ППЗУ) информационной емкостью 16Кбит (2К x 8 бит)
  • Тып корпуса: 210Б.24-1
  • Диапазон температур: -60 +85 °С
  • Организация, бит: 2048 х 8
  • Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,04

537РУ14Б

  • Функцыянальнае прызначэнне: Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (4К x 1 бит)
  • Тып корпуса: 427.18-2.03
  • Диапазон температур: -60 +85 °С
  • Организация, бит: 4096 х 1
  • Ток потребления Iсс, мА,не более: 35
  • Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,005

537РУ14А

  • Функцыянальнае прызначэнне: Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (4К x 1 бит)
  • Тып корпуса: 427.18-2.03
  • Диапазон температур: -60 +85 °С
  • Организация, бит: 4096 х 1
  • Ток потребления Iсс, мА,не более: 35
  • Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,005

537РУ13

  • Функцыянальнае прызначэнне: Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (1К x 4 бит)
  • Тып корпуса: 427.18-2.03
  • Диапазон температур: -60 +85 °С
  • Организация, бит: 1024 х 4
  • Ток потребления Iсс, мА,не более: 60
  • Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,01

537РУ3Б

  • Функцыянальнае прызначэнне: Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (4К x 1 бит)
  • Тып корпуса: 427.18-2.03
  • Диапазон температур: -60 +85 °С
  • Организация, бит: 4096 х 1
  • Ток потребления Iсс, мА,не более: 20
  • Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,001

537РУ3A

  • Функцыянальнае прызначэнне: Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (4К x 1 бит)
  • Тып корпуса: 427.18-2.03
  • Диапазон температур: -60 +85 °С
  • Организация, бит: 4096 х 1
  • Ток потребления Iсс, мА,не более: 20
  • Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,001

1617РУ14Б

  • Функцыянальнае прызначэнне: Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (4К x 1 бит)
  • Тып корпуса: 427.18-1.02
  • Диапазон температур: -60 +85 °С
  • Организация, бит: 4096 х 1
  • Ток потребления Iсс, мА,не более: 55
  • Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,001

1617РУ14А

  • Функцыянальнае прызначэнне: Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (4К х 1 бит)
  • Тып корпуса: 427.18-1.02
  • Диапазон температур: -60 +85 °С
  • Организация, бит: 4096 х 1
  • Ток потребления Iсс, мА,не более: 55
  • Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,001

1617РУ13Б

  • Функцыянальнае прызначэнне: Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (1К x 4 бит)
  • Тып корпуса: 427.18-1.02
  • Диапазон температур: -60 +85 °С
  • Организация, бит: 1024 х 4
  • Ток потребления Iсс, мА,не более: 55
  • Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,001

1617РУ13A

  • Функцыянальнае прызначэнне: Оперативное запоминающее устройство статическое информационной емкостью 4Кбит (1К x 4 бит)
  • Тып корпуса: 427.18-1.02
  • Диапазон температур: -60 +85 °С
  • Организация, бит: 1024 х 4
  • Ток потребления Iсс, мА,не более: 55
  • Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,001

1666РЕ014

  • Функцыянальнае прызначэнне: Энергонезависимое оперативное запоминающее устройство (FRAM) информационной емкостью 1 Мбит (128 К х 8) бит
  • Тып корпуса: 4184.32-1

9001РТ1У

  • Функцыянальнае прызначэнне: Многокристальный модуль ПЗУ с однократным программированием информационной ёмкостью 512 Кбит (64К х 8) бит
  • Тып корпуса: 5134.64-6

1642РК2У

  • Прататып: IDT7007
  • Функцыянальнае прызначэнне: ОЗУ статическое с двумя портами ввода – вывода информационной емкостью 256 Кбит (32К х 8) бит
  • Тып корпуса: 5134.64-6

1642РК1УБМ

  • Прататып: IDT7005
  • Функцыянальнае прызначэнне: 2-х портовое статическое ОЗУ информационной ёмкостью 64Кбит (8К x 8 бит)
  • Тып корпуса: Н18.64-3В

1642РГ1УБМ

  • Прататып: IDT7205L
  • Функцыянальнае прызначэнне: ОЗУ статическое (8Kx9) типа FIFO
  • Тып корпуса: Н16.48-1В

1642РГ1ТБМ

  • Прататып: IDT7205L
  • Функцыянальнае прызначэнне: ОЗУ статическое (8Кх9) типа FIFO
  • Тып корпуса: 4183.28-4

1642РГ1РБМ

  • Прататып: IDT7205L
  • Функцыянальнае прызначэнне: ОЗУ статическое (8Кх9) типа FIFO
  • Тып корпуса: 2121.28-6